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<p>비파괴 검사 장치 (또는 방법) 는, 기본적으로, 주사 대상인 반도체 장치 칩 (4) 의 표면 상에 레이저빔 (1300 ㎚) (3, 53) 이 조사되도록 구성된다. 레이저빔의 조사로 인해, 결함위치가 가열되어, 자기장을 유도하는 열기전력 전류를 발생시킨다. SQUID (55) 등과 같은 자기장 검출기 (5) 가 자기장의 강도를 검출하고, 이에 기초하여 주사 자기장 화상이 생성된다. 표시 장치 (7) 는 스크린 상에서, 주사 레이저 현미경상 상에 주사 자기장 화상을 중첩시켜서, 반도체 장치 칩 상에서 결함 검사를 실행할 수 있다. 또한, 반도체 장치 웨이퍼 (40) 는 열기전력 발생기 (21) 및, 제 1 층 배선들 (34a, 34b) 과 전기적으로 접속된 그 배선들 (20a) 을 포함하도록 구성된다. 레이저빔을 열기전력 발생기 상에 조사시킴으로써, 제 1 층 배선들 사이에 존재하는 단락 결함 (42) 을 검출할 수 있다. 또한, 본딩 패드들을 형성하기 이전인 제조 중간 단계에 있으며, 상대적으로 넓은 범위의 표면적 내에 형성되고 제 2 층 배선 (37) 을 형성하는데 이용되는 금속막 (36) 뿐만 아니라 열기전력 발생 결함 (41) 을 포함한 제 1 층 배선 (34), 회로용 비아 (35) 및 검사용 비아 (305) 로 구성된 폐쇄회로를 포함하는 반도체 집적 회로 상에 비파괴 검사를 실행할 수 있다.</p> |
