碳化硅晶体生长的方法和装置

摘要

本发明公开了一种所需的多型高质量碳化硅芯棒可控的、长期的并可重复的生长的方法和装置,其采用涂有一薄层金属碳化物的石墨坩埚,并且碳化物从下列这组材料中选取:钽、铪、铌、钛、锆、钨和钒的碳化物。

主权项

1、一种在SiC晶体生长系统中生长高质量SiC单晶体的方法，其包括：将一个硅源和一个引入的碳源的温度提高到一个足以形成碳化硅蒸气的温度；同时将一籽晶生长表面的温度提高到一个与硅源和碳源温度相接近的、但低于硅源和碳源温度的温度，同时该温度低于碳化硅在SiC晶体生长系统的气压条件下产生升华的温度；并且生成并维持一股合适的、含有碳和硅的气化种的流，其中的碳和硅源自硅源和引入的碳源；将所述的蒸气流引到籽晶的生长表面，并维持一定的时间，该时间应足以生产出所需宏观生长量的碳化硅单晶体；同时除了与引入的碳源反应外，基本防止任何含硅的种与周围物质反应。