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<p>본 발명은 반도체 소자의 고밀도 플라즈마막 형성 방법에 관한 것으로, 미세한 반도체 소자의 층간 절연막으로써 고밀도 플라즈마막을 사용할 때, 헬륨 가스를 이용한 1차 증착 공정 및 아르곤 가스를 이용한 2차 증착 공정으로 이루어진 2단게 증착 공정으로 플라즈마막을 형성하므로써, 미세한 골 간의 갭 매립 특성을 개선할 수 있고, 표면에 나타난 산 형상의 경사를 완화시킬 수 있는 반도체 소자의 고밀도 플라즈마막 형성 방법이 개시된다.</p> |
