| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체 소자의 금속 배선 형성 방법에 관한 것으로, 전기 도금법을 이용한 구리(Cu) 증착법으로 금속 배선을 형성할 때, 필수 공정인 구리 시드층 증착 공정을 제거할 수 있는 기술이다. 구리 시드층 증착 공정 없이 전기 도금법으로 구리 금속 배선을 형성하기 위하여, 본 발명은 콘택홀 및 트렌치가 형성된 웨이퍼의 표면에 확산 장벽층을 형성한 후, 확산 장벽층에 미세 전류가 흐르도록 전압을 설정한 상태에서 전기 도금법으로 구리층을 얇게 증착하고, 확산 장벽층 상에 얇게 형성된 구리층은 기존의 구리 시드층 역할을 하므로 정상적인 전기 도금 증착 조건의 전압과 전류를 설정하여 콘택홀 및 트렌치를 매립시키는 구리층을 형성한다. 이와 같이 별도의 공정 없이 구리 시드층 역할을 하는 얇은 구리층 및 배선 역할을 하는 구리층을 연속적으로 형성하므로써, 공정 단계의 감소로 생산성을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 금속 배선에 대한 신뢰성, 안정성 및 성능을 향상시킬 수 있다.</p> |
