发明名称 Method of fabricating a semiconductor device having contact pad
摘要 <p>콘택패드를 갖는 반도체소자의 제조방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판 상에 복수개의 평행한 배선패턴들을 형성한다. 배선패턴들 및 반도체기판을 덮는 하부 층간절연막을 형성한다. 하부 층간절연막 상에 하드마스크를 형성한다. 하드 마스크를 식각 마스크로 사용하여 하부 층간절연막을 식각하여 배선패턴들 사이의 반도체기판을 노출시키는 자기정렬 콘택홀을 형성한다. 자기정렬 콘택홀에 의해 노출된 반도체기판의 표면에 표면처리 공정을 적용한다. 표면처리 공정이 완료된 결과물 전면에 제1 도전막을 콘포말하게(conformably) 형성한다. 이때, 자기정렬 콘택홀의 상부 측벽에 돌출부가 형성된다. 제1 도전막을 이방성 식각하여 돌출부를 제거한다. 돌출부가 제거된 결과물 전면에 자기정렬 콘택홀을 완전히 채우는 제2 도전막을 형성한다.</p>
申请公布号 KR100363328(B1) 申请公布日期 2002.12.05
申请号 KR20010001615 申请日期 2001.01.11
申请人 发明人
分类号 H01L21/28;H01L21/3205;H01L21/768;H01L21/8242;H01L23/485;H01L27/108 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人
主权项
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