| 摘要 |
<p>Procédé de gravure par plasma de carbure de silicium, de manière sélective par rapport à une couche de matière diélectrique superposée et / ou sous-jacente. La matière diélectrique peut comporter du dioxyde de silicium, de l'oxynitrure de silicium, du nitrure de silicium ou diverses matières diélectriques à faible k, dont des matières organiques à faible k. Le gaz de gravure contient un gaz comprend du chlore tel que Cl2, un gaz contenant de l'oxygène tel que O2 et un gaz véhicule tel que Ar. Pour obtenir une sélectivité désirée par rapport à ces matières diélectriques, la chimie du gaz de gravure par plasma est sélectionnée de manière à obtenir une vitesse de gravure désirée du carbure de silicium, tandis que la matière diélectrique est gravée à une vitesse plus faible. Ledit procédé peut être utilisé pour graver de manière sélective une couche d'arrêt de gravure en carbure de silicium hydrogéné ou un substrat en carbure de silicium.</p> |
