| 摘要 |
<p>L'invention concerne un dispositif semi-conducteur intégré CMOS à signaux mixtes qui présente un couplage du bruit de substrat réduit entre des fonctions numériques et analogiques en utilisant des régions (46, 48) enterrées à impureté élevée, isolées et formées de manière sélective entre le substrat et des couches épitaxiées. L'impédance à l'intérieur desdites régions (46, 48) est relativement inférieure à celle entre lesdites régions, ce qui réduit les potentiels induits par le bruit, et le déclenchement de parasites, à l'intérieur des régions à impureté élevée, ainsi que les courants induits par le bruit entre lesdites régions. Un réseau d'atténuation est efficacement formé dans les couches du dispositif semi-conducteur afin de réduire le couplage du bruit, l'impédance à l'intérieur de la région à impureté élevée faisant office de circuit de dérivation du réseau d'atténuation. Les régions (46, 48) à impureté élevée sont formées par diffusion ou implantation de manière sélective d'impuretés dans la couche (40) de substrat de silicium, faiblement dopé en bloc avant la croissance d'une couche épitaxiée (50). Les régions à impureté élevée, le substrat et les couches épitaxiées présentent tous le même type de conductivité.</p> |
