SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

펀치스루 내성을 높인다. 카운터 도핑층(5)에 대향하는 게이트 전극(7)이, 반도체 기판(100) 주면에 형성된 홈(50)에 매설되고, 홈(50)의 양측에 소스·드레인층(12)이 형성되어 있다. 이에 따라, 카운터 도핑층(5)보다도 소스·드레인층(12)이 얕게 형성되어 있다.