Verdrahtungsschicht-Trockenätzverfahren und Halbleitervorrichtung-Herstellungsverfahren

摘要

Ein Verdrahtungsschicht-Trockenätzverfahren wird so verbessert, daß die elektrischen Eigenschaften einer Halbleitervorrichtung nicht gemindert werden. Ein Halbleitersubstrat (7), auf dem eine Maske (10) zur Musterbildung einer Verdrahtungsschicht (9) gebildet ist, wird hergestellt, wobei die Maske (10) auf der Verdrahtungsschicht (9) gebildet wird (ein erster Schritt). Betroffene Schichten auf einer Oberfläche der Verdrahtungsschicht (9) werden trockengeätzt und entfernt (zweiter Schritt). Die Verdrahtungsschicht (9) wird durch Verwendung der Maske (10) trockengeätzt (dritter Schritt). Wenn der Wechsel von dem zweiten Schritt zu dem dritten Schritt ausgeführt wird, wird ein Absaugen nicht ausgeführt, und eine kontinuierliche Entladung wird ausgeführt.