电子器件制造

摘要

一种包括薄膜晶体管的电子器件的制造方法,提出了在自对准薄膜晶体管中断态电流增长和载流子迁移率减小的问题。根据此方法,在掩模层(20,48)下面深蚀刻栅层(2,46)。接着利用掩模层作为注入掩模进行注入步骤,深蚀刻露出注入物损害,然后通过能量束(42)给注入物损害退火。

主权项

1.一种包括薄膜晶体管的电子器件的制造方法，包括步骤：(a)在绝缘膜上淀积栅层，所述绝缘层位于半导体膜上；(b)限定在栅层上布图的掩模层；(c)利用掩模层蚀刻以布图栅层；(d)利用掩模层和/或栅层作为注入掩模，注入半导体膜；(e)在掩模层下深蚀刻栅层；(f)除去掩模层；和(g)用能量束给半导体膜退火。