发明名称 |
半导体装置的制造方法及半导体装置 |
摘要 |
本发明提供一种用导电胶将具有狭窄间距配置电极的半导体元件及电路基片高可靠性电气连接的半导体装置及制造这种半导体装置的制造方法。该制造方法包含以下各工序:在半导体部上形成多个半导体电极的工序;在电路基片上形成多个基片电极的工序;将半导体部及电路基片的一方粘接到由绝缘性材料组成的中间连接体上的第1粘接工序;在中间连接体上形成与多个半导体电极的位置及多个基片电极的位置对应的多个贯通孔的工序;通过各贯通孔将各半导体电极和各基片电极电气连接的工序;将半导体部及电路基片的另一方粘接到中间连接体上的第2粘接工序。 |
申请公布号 |
CN1383197A |
申请公布日期 |
2002.12.04 |
申请号 |
CN02118367.8 |
申请日期 |
2002.04.25 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
东谷秀树;中村祯志;安藤大藏 |
分类号 |
H01L21/60;H01L21/768;H01L21/28;H01L21/58 |
主分类号 |
H01L21/60 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
1.一种半导体装置的制造方法,是制造将半导体部和电路基片电气连接起来的半导体装置的制造方法,其特征在于:它包含以下各工序:在所述半导体部上形成多个半导体电极的工序,在所述电路基片上形成多个基片电极的工序,将所述半导体部及所述电路基片的一方粘接到由绝缘性材料组成的中间连接体上的第1粘接工序,在所述中间连接体上形成多个与所述多个半导体电极的位置及所述多个基片电极的位置相对应的多个贯通孔的工序,通过各贯通孔、将各半导体电极和各基片电极电气连接的工序,将所述半导体部及所述电路基片的另一方粘接到所述中间连接体上的第2粘接工序。 |
地址 |
日本国大阪府 |