| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件,包括:半导体基衬(1),其上形成电路元件形成区和多个连接盘(2,2A,2B);第一柱状电极(6),形成于第一连接盘(2)上以便电连接到第一连接盘;第一导电层(5－1),形成于所述第二连接盘(2A)上以便电连接到第二连接盘;封装膜(7),至少围绕着所述第一柱状电极形成于半导体基衬和第一导电层上;和第二导电层(8),形成在封装膜(7)上以面对第一导电层。从所述第一和第二导电层(5－1,8)形成无源元件。 | ||
| 申请公布号 | CN1383206A | 申请公布日期 | 2002.12.04 |
| 申请号 | CN02105749.4 | 申请日期 | 2002.04.16 |
| 申请人 | 卡西欧计算机株式会社;冲电气工业株式会社 | 发明人 | 青木由隆 |
| 分类号 | H01L23/522;H01L27/00;H01L21/60;H01L21/768 | 主分类号 | H01L23/522 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 王敬波 |
| 主权项 | 1.一种半导体器件，包括：半导体基衬(1)，其上形成电路元件形成区和包括至少一个第一连接盘和至少一个第二连接盘的多个连接盘(2，2A，2B)，其特征在于，进一步包括：第一柱状电极(6)，形成于第一连接盘(2)上以便电连接到第一连接盘；至少一个第一导电层(5-1，5-2)，形成于所述第二连接盘(2A)上以便电连接到第二连接盘；封装膜(7)，至少围绕着所述第一柱状电极形成于半导体基衬和第一导电层上；第二导电层(8，12)，形成在封装膜(7)上以面对所述第一导电层；和至少一个无源元件，从所述第一和第二导电层(5-1，5-2，8，12)形成。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||