| 发明名称 |
Method for fabricating insulated-gate field effect transistor |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3386163(A) |
申请公布日期 |
1968.06.04 |
| 申请号 |
US19640392144 |
申请日期 |
1964.08.26 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
BRENNEMANN ANDREW E.;SERAPHIM DONALD P.;TANSAL SABIH |
| 分类号 |
H01L21/18;H01L21/22;H01L21/336;H01L21/761;H01L27/088;H01L29/00;H01L29/76;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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