发明名称 抹除非挥发性记忆体中之记忆单元之方法
摘要 本揭示内容为一种管理非挥发性记忆体中之记忆单元的方法,其包含下列步骤:抹除记忆单元;决定记忆单元的临界电压是否低于一检查电压,以侦测快速被抹除的单元;只程式化临界电压低于检查电压的快速抹除单元;以及抹除所有的记忆单元,包括被快速抹除的记忆单元。
申请公布号 TW512350 申请公布日期 2002.12.01
申请号 TW090109788 申请日期 2001.04.24
申请人 三星电子股份有限公司 发明人 李圣;李灿朝;宋润洽;李昇根
分类号 G11C16/02 主分类号 G11C16/02
代理机构 代理人 陈长文 台北巿敦化北路二○一号七楼
主权项 1.一种防止快闪记忆体中被快速抹除单元之过度抹除之方法,其包含:侦测一区段之快闪记忆体中之快速抹除记忆单元,其中该区段包含多个记忆单元;以一高于某一预定之临界电压的临界电压程式化侦测到的被快速抹除单元;以及对区段中的所有记忆单元执行主要抹除操作。2.如申请专利范围第1项之方法,其中侦测一被快速抹除的记忆单元包括:对区段中的每一记忆单元执行第一次抹除操作;在第一次抹除操作之后,决定每一记忆单元的第一临界电压;以及将每一记忆单元的第一临界电压与一第一检查电压比较。3.如申请专利范围第2项之方法,其中侦测一被快速抹除的记忆单元尚包括将第一临界电压低于第一检查电压的记忆单元归类为被快速抹除的记忆单元。4.如申请专利范围第2项之方法,其中执行第一次抹除操作包括在一段较主要抹除操作所需时间为短的预定时间内执行第一次抹除操作。5.如申请专利范围第2项之方法,其中检查电压大约为4伏特。6.如申请专利范围第2项之方法,其中侦测一被快速抹除的记忆单元尚包括:对区段中的每一记忆单元执行第二抹除操作;在第二抹除操作之后,决定每一记忆单元的第二临界电压;将每一记忆单元的第二临界电压与一第二检查电压比较;以及将第一和第二临界电压分别低于第一和第二检查电压的记忆单元归类为被快速抹除的记忆单元。7.如申请专利范围第1项之方法,尚包括执行一后程式化步骤,将任何被过度抹除之记忆单元的位准提高到一预定的临界电压以上。8.如申请专利范围第1项之方法,其中「以一高于某一预定之临界电压的临界电压程式化侦测到的快速抹除单元」包括:执行一第一次中间程式化操作,将被过度抹除之记忆单元的临界电压提高到预定的临界电压以上;以及执行一程式化确认操作,以确定临界电压在预定临界电压以上。9.如申请专利范围第1项之方法,其中「对区段中的所有记忆单元执行主要抹除操作」包括:对区段中的所有记忆单元执行一次抹除操作;以及执行一确认操作,以确定每一临界电压均低于一被抹除单元电压位准的最大値。10.一种管理非挥发性记忆体中之记忆单元之方法,其包含:对一区段中的许多记忆单元执行第一次抹除操作;决定那一个记忆单元的临界电压较一检查电压低,而侦测出记忆单元中被快速抹除者;程式化被快速抹除的记忆单元;以及抹除区段中的所有记忆单元。11.如申请专利范围第10项之方法,尚包括执行一程式化确认操作,以确定被快速抹除的单元以一高于检查电压的临界电压被程式化。12.如申请专利范围第10项之方法,其中检查电压大约四伏特。13.如申请专利范围第10项之方法,尚包括一抹除确认操作,以确定被抹除区段内每一记忆单元的临界电压均低于被抹除记忆单元的预定最大电压位准。14.如申请专利范围第12项之方法,其中预定的最大电压位准大约三伏特。15.一种管理非挥发性记忆体中之记忆单元之方法,其包含:对组成一区段的许多记忆单元执行第一次抹除操作;决定记忆单元的临界电压是否低于一第一检查电压,以侦测被快速抹除的记忆单元中;只程式化临界电压低于第一检查电压的被快速抹除记忆单元;对区段中的所有记忆单元执行第二次抹除操作;以及决定记忆单元的临界电压是否低于一第二检查电压。16.如申请专利范围第15项之方法,尚包括只程式化临界电压低于第二检查电压的记忆单元。17.如申请专利范围第16项之方法,尚包括执行第三次抹除操作。18.如申请专利范围第15项之方法,尚包括执行一抹除确认操作,以确定每一记忆单元的临界电压均低于被抹除记忆单元的预定最大电压位准。19.如申请专利范围第15项之方法,尚包括执行一后程式化操作,俾将任何被过度抹除之记忆单元的临界电压提高到一预定临界电压以上。20.一种控制快闪记忆体之区段内被抹除电压分布曲线之有效宽度的方法,其包含:从快闪记忆体区段内的许多记忆单元中识别出被快速抹除的记忆单元;只对被快速抹除的记忆单元执行中间程式化操作,俾将被快速抹除记忆单元的临界电压提高到预定的临界电压以上;以及对区段内的所有记忆单元执行一主要抹除操作。图式简单说明:图1为一截面图,显示快闪记忆单元的垂直结构;图2为显示快闪记忆单元在抹除与程式化后,其临界电压之曲线的图形;图3显示一传统抹除方法的流程图,吾人沿着抹除流程的步骤,绘出快闪记忆体单元的临界电压曲线;图4显示图3所示之程式化前与程式化后操作的详细流程;图5显示图3所示之主要抹除操作的详细流程;图6为根据本发明之抹除操作的流程图;图7为图6所示之主要抹除操作的流程图;图8A与8B为流程图,显示中间程式操作的具体实施例;图9A到9D显示在程式化与抹除后,记忆单元之临界电压曲线的一项特性;图10A到10D显示在程式化与抹除后,记忆单元之临界电压曲线的一项特性;图11为一图形,显示当吾人对抹除时间各不相同的记忆单元执行抹除操作时,临界电压与抹除时间之间的关系;图12为一图形,显示当吾人对临界电压各不相同的记忆单元执行抹除操作时,临界电压与抹除时间之间的关系;图13为被抹除记忆单元之临界电压曲线的图形,图中比较本发明与传统技艺者。
地址 韩国
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