| 主权项 |
1.一种转移凸块封装,包括:一晶片,具有一主动表面,该主动表面上具有复数个焊垫;一异方性导电材质,分别配置于该些焊垫表面;以及复数个转移凸块,配置于该晶片之该主动表面,且分别对应每一该些焊垫,并透过该异方性导电材质分别与该些焊垫电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之转移凸块封装,其中该转移凸块之材质包括铜,且该转移凸块之厚度约介于3-5微米。3.如申请专利范围第1项所述之转移凸块封装,其中该异方性导电材质包括异方性导电胶。4.如申请专利范围第1项所述之转移凸块封装,其中该异方性导电材质包括异方性导电膜。5.一种转移凸块封装,包括:一晶片,具有一主动表面,该主动表面上具有复数个焊垫;一异方性导电材质,分别配置于该些焊垫表面;以及复数个阶梯转移凸块,配置于该晶片之该主动表面,每一阶梯转移凸块分别包括一突出部、一焊球垫及一连接部分,以连接该突出部与该焊球垫,其中该突出部之厚度大于该焊球垫及该连接部分,该些阶梯转移凸块之该突出部分别对应该些焊垫,并藉由该异方性导电材质分别电性连接该些焊垫。6.如申请专利范围第5项所述之转移凸块封装,其中该阶梯转移凸块之材质包括铜,且该阶梯转移凸块之厚度约介于5-10微米,而该突出部与该焊球垫及连接部分之厚度差约介于2-3微米。7.如申请专利范围第5项所述之转移凸块封装,其中该异方性导电材质包括异方性导电胶。8.如申请专利范围第5项所述之转移凸块封装,其中该异方性导电材质包括异方性导电膜。9.一种转移凸块封装制程,包括:提供一承载层;在该承载层之一面形成一黏着层;积层一薄金属层于该黏着层上;定义该薄金属层,以形成复数个转移凸块;提供一晶圆,该晶圆由复数个晶片所组成,该晶圆具有一主动表面,每一该晶片之该主动表面具有复数个焊垫,且该些焊垫分别对应该些转移凸块;将该些转移凸块分别对准该些焊垫,并且在该些焊垫与该些转移凸块之间配置一异方性导电材质,使得每一该些转移凸块分别藉由该异方性导电材质与该些焊垫电性连接;固化该异方性导电材质;去除该承载层;以及进行一切割制程,将该些晶片分离。10.如申请专利范围第9项所述之转移凸块封装制程,其中配置该异方性导电材质的方法,包括将该异方性导电材质形成于该晶圆之该主动表面。11.如申请专利范围第9项所述之转移凸块封装制程,其中配置该异方性导电材质的方法,包括将该异方性导电材质形成于该些转移凸块表面。12.如申请专利范围第10项或第11项所述之转移凸块封装制程,其中该异方性导电材质包括异方性导电胶,其形成方法包括网版印刷法。13.如申请专利范围第10项或第11项所述之转移凸块封装制程,其中该异方性导电材质包括异方性导电膜,其形成方法包括贴附法。14.如申请专利范围第9项所述之转移凸块封装制程,其中该黏着层包括一绝缘黏着材料,且该切割制程前还包括剥除该黏着层。15.如申请专利范围第9项所述之转移凸块封装制程,其中该黏着层包括一异方性导电材质,且经过该切割制程后仍保留于该些转移凸块表面。16.如申请专利范围第9项所述之转移凸块封装制程,其中该承载层之材质包括铜,且其厚度约介于100-150微米。17.如申请专利范围第9项所述之转移凸块封装制程,其中该薄金属层之材质包括铜,其厚度约介于3-5微米。18.如申请专利范围第9项所述之转移凸块封装制程,其中去除该承载层之方法包括蚀刻。19.一种转移凸块封装制程,包括:提供一承载层;在该承载层之一面形成一黏着层;积层一薄金属层于该黏着层上;定义该薄金属层,以形成复数个阶梯转移凸块,其中每一该些阶梯转移凸块包括一突出部、一焊球垫及一连接部分,以连接该突出部与该焊球垫;进行一厚度缩减制程,使得该些阶梯转移凸块中该焊球垫与该连接部分的厚度缩减;提供一晶圆,该晶圆由复数个晶片所组成,该晶圆具有一主动表面,每一该晶片之该主动表面具有复数个焊垫,且该些焊垫分别对应该些阶梯转移凸块之该突出部;将该些阶梯转移凸块之该突出部分别对准该些焊垫,并且在该些焊垫与该些阶梯转移凸块之间配置一异方性导电材质,使得每一该些阶梯转移凸块分别藉由该异方性导电材质与该些焊垫电性连接;固化该异方性导电材质;去除该承载层;以及进行一切割制程,将该些晶片分离。20.如申请专利范围第19项所述之转移凸块封装制程,其中配置该异方性导电材质的方法,包括将该异方性导电材质形成于该晶圆之该主动表面。21.如申请专利范围第19项所述之转移凸块封装制程,其中配置该异方性导电材质的方法,包括将该异方性导电材质形成于该些阶梯转移凸块表面。22.如申请专利范围第20项或第21项所述之转移凸块封装制程,其中该异方性导电材质包括异方性导电胶,其形成方法包括网版印刷法。23.如申请专利范围第20项或第21项所述之转移凸块封装制程,其中该异方性导电材质包括异方性导电膜,其形成方法包括贴附法。24.如申请专利范围第19项所述之转移凸块封装制程,其中该黏着层包括一绝缘黏着材料,且该切割制程前还包括剥除该黏着层,并形成一焊单层于该些阶梯转移凸块表面及该些阶梯转移凸块之间,且暴露出该些焊球垫。25.如申请专利范围第19项所述之转移凸块封装制程,其中该黏着层包括一异方性导电材质,且经过该切割制程后仍保留于该些阶梯转移凸块表面。26.如申请专利范围第19项所述之转移凸块封装制程,其中该承载层之材质包括铜,且其厚度约介于100-150微米。27.如申请专利范围第19项所述之转移凸块封装制程,其中该薄金属层之材质包括铜,其厚度约介于5-10微米,而该突出部与该焊球垫及连接部分之厚度差约介于2-3微米。28.如申请专利范围第19项所述之转移凸块封装制程,其中去除该承载层之方法包括蚀刻。29.如申请专利范围第19项所述之转移凸块封装制程,其中该厚度缩减制程之方法包括半蚀刻法。30.如申请专利范围第19项所述之转移凸块封装制程,其中该厚度缩减制程之方法包括压印法。图式简单说明:第1图至第5图绘示依照本发明第一较佳实施例的一种转移凸块封装之制程剖面图。第3A图绘示另一种异力性导电材质的应用。第3B图绘示对应于第3图及第3A图中转移凸块与焊垫连接部分的放大示意图。第5A图绘示对应于第3A图之转移凸块封装。第5B图绘示对应于第4图且黏着层未去除之转移凸块封装。第6图至第11图绘示依照本发明之第二较佳实施例一种转移凸块封装之制程剖面图。第7A图绘示对应第7图之俯视图。第12图绘示本发明转移凸块封装的另一种应用。 |
