| 主权项 |
1.一种对光阻层进行乾式显影程序之方法,其中反应气体至少包括了氮气与氢气,并且不包括氧气。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述氮气流量约为10至500sccm。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述氢气流量约为50至1000sccm。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述乾式显影程序中的气体压力小于100毫托耳。5.一种转移图案至光阻层之方法,该方法至少包括下列步骤:涂布光阻层于半导体底材上;对该光阻层进行曝光程序;且进行乾式显影程序以移除部份该光阻层,并曝露出部份该半导体底材上表面,其中该乾式显影程序所使用之反应气体至少包括氮气与氢气,但不包括氧气。6.如申请专利范围第5项之方法,其中上述氮气流量约为10至500sccm。7.如申请专利范围第5项之方法,其中上述氢气流量约为50至1000sccm。8.如申请专利范围第5项之方法,其中上述乾式显影程序中的气体压力小于100毫托耳。9.一种使用表层成像技术定义图案于膜层中之方法,该方法至少包括下列步骤:形成膜层于半导体底材上;涂布光阻层于该膜层上;对该光阻层进行矽化程序,以便在该光阻层表层形成矽化光阻层;定义图案于该矽化光阻层中;使用该矽化光阻层作为蚀刻罩幕,对该光阻层进行乾式显影程序,以移除部份该光阻层并曝露出该膜层上表面,其中该乾式显影程序所使用之反应气体至少包含氮气与氢气,但不含氧气;且使用该光阻层作为蚀刻罩幂,对该膜层进行蚀刻程序,以定义该图案于其中。10.如申请专利范围第9项之方法,其中上述氮气流量约为10至500sccm,且该氢气流量约为50至1000sccm。11.如申请专利范围第9项之方法,其中上述乾式显影程序中的气体压力小于100毫托耳。12.如申请专利范围第9项之方法,其中上述乾式显影程序是使用反应离子蚀刻术来进行。图式简单说明:第一A、B图显示根据传统单层光阻微影制程转移图案至光阻层中之步骤;第二A、B图显示根据传统三层光阻微影制程转移图案至光阻层中之步骤;第三A、B图显示根据传统矽化光阻微影制程转移图案至光阻层中之步骤;第四A~C图分别显示在传统微影制程中发生图案关键线宽误差、图案侧壁形状变形、线条图案扭曲与开口图案底部残留等缺陷之情形;第五A~E图显示根据本发明方法进行双层光阻微影制程转移图案至光阻层中之步骤;及第六A~C图显示使用本发明方法可精确定义出图案关键线宽、陡直的图案侧壁形状、笔直的线状图案、以及开口图案底部无残留物等情形。 |
