| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:一经图型化导线,其包括一外连接用连接器且形成于一长形基底膜上,一半导体元件或该半导体元件与该半导体元件以外之一组件,其安装且电气连接于该经图型化导线所连接之部分上,一长形强化构件,其设置于与该经图型化导线所形成表面相对之该基底膜表面上,该强化构件具有与该基底膜之纵长侧对应的扣线孔,以及其中该强化构件进一步设置于该相对基底膜表面上之一区域,该区域对应该外连接用之连接器的一区域。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该强化构件直接设置或以一黏着层间隔形成于该相对基底膜表面上之一区域,该区域对应该外连接用连接器之区域。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该强化构件设置于以黏着层间隔之基底膜上,致使该强化构件可在黏着层被剥除。4.如申请专利范围第2项之半导体装置,其中该黏着层系以500gf/cm至1000gf/cm的黏着力黏着至该强化构件,并以大于上述黏着力的黏着力黏着至该基底膜。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该强化构件设置于该相对基底膜表面上,致使该强化构件可由该基底膜之界面间剥除。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该强化构件进一步设置于该相对基底膜表面上之一区域,该区域对应于该半导体元件或该半导体元件与该半导体元件以外之该组件所安装的区域。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该强化构件的厚度系为15微米或大约至400微米。8.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中该强化构件包含一有机膜。9.一种用于制造半导体装置之方法,包含藉由外型压印,分离构成如申请专利范围第1项之半导体装置的基底膜,藉此切出包括扣线孔之强化构件区域,以及将该强化构件仅留置在对应该外连接用之连接器所形成区域之区域中的该相对基底膜表面上,或仅在对应于该外连接器所形成区域、该半导经元件所安装之区域以及该半导体元件外之组件所安装区域之区域中。10.一种液晶显示器模组,包含一经压印申请专利范围第1项之半导体装置所分离的半导体装置,以及安装该经分离之半导体装置的一液晶面板。11.一种用于安装液晶模组之方法,包含将申请专利范围第1项之半导体装置压印且安装于一液晶面板上以制造一液晶模组,将位于该基底膜之至少弯曲部分上的强化构件剥除,以及安装该液晶显示器模组于一电气产品上。12.一种用于安装液晶模组之方法,包含将设置在申请专利范围第10项之液晶模组中之该基底膜上的所有强化构件移除,以及安装该液晶显示器模组于一电气产品上。图式简单说明:第1(a)图为由根据本发明之实例1的COF的半导体元件安装表面观之的平面图,第1(b)图为由COF的强化组件安装表面观之的平面图;第2图为举例说明根据本发明之实例1的COF的剖面图;第3图为举例说明根据本发明之实例2的COF的剖面图;第4图为举例说明根据本发明之实例3的COF的剖面图;第5图为举例说明根据本发明之实例4的TCP的剖面图;第6(a)至6(c)图为举例说明将根据本发明之实例5的COF安装于一液晶面板上之步骤的图式;第7(a)及7(b)图为举例说明将根据本发明之实例6的COF安装于一液晶面板上之步骤的图式;第8(a)及8(b)图为举例说明将根据本发明之实例7的COF安装于一液晶面板上之步骤的图式;第9图为举例说明传统TCP的剖面图;第10(a)图为由传统COF的半导体元件安装表面观之的平面图,而第10(b)图为由半导体元件安装表面之反面观之的平面图;以及第11图为举例说明传统COF的剖面图。 |
