| 主权项 |
1.一种在一绝缘层上有矽基板上之一闸极导体下方形成一绝缘层上有矽本体接触之方法,该方法包括下列步骤:(a)沈积一第一绝缘层于该绝缘层上有矽基板上;(b)形成一开口于该第一绝缘层中,该开口经由该第一绝缘层与该闸极导体而延伸到一半导体基板,该开口具有一对边墙及一底部;(c)形成一绝缘间隔物于相邻于该第一绝缘层与该等闸极导体区域之每一边墙;(d)沈积一第一导电材料层于该开口中;以及(e)沈积一第二绝缘层于该开口中之导电材料上。2.如申请专利范围第1项之方法,更包括下列步骤:(f)沈积一第二导电材料层于第二绝缘层上;(g)沈积一金属层于该第二导电材料层上;以及(h)使该金属层与该第二导电层材料反应,以形成一金属矽化物层,其系自我对准于该闸极导体。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该金属系选自由钨、钛和钴所组成的组群。4.如申请专利范围第1项之方法,更包括介于步骤(c)与(d)间之下列步骤:(i)植入一掺杂剂于该本体接触介层之底部之半导体基板中。5.如申请专利范围第4项之方法,其中该掺杂剂为硼。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一绝缘层为四乙基氧矽酸盐。7.如申请专利范围第1项之方法,其中该绝缘间隔物为氮化矽。8.如申请专利范围第1项之方法,其中该第二绝缘层为四乙基氧矽酸盐。9.如申请专利范围第1项之方法,其中该第一导电材料为P+型多晶矽。10.如申请专利范围第2项之方法,其中该第二导电材料为多晶矽。11.如申请专利范围第1项之方法,更包括在步骤(d)后之下述步骤:(i)使该第一导电材料层凹陷至一高度,以便该第一导电材料层之顶部与在绝缘层上有矽基板中之一单晶矽层做电性接触。12.一种在一绝缘层上有矽基板上之一闸极导体下方之本体接触结构,其包含:(a)一第一绝缘层,其覆盖于该闸极导体和该绝缘层上有矽基板上;(b)一开口,其位于该基板中,该开口自该第一绝缘层之顶部表面经由该闸极导体而延伸至一半导体基板,该开口具有一对边墙与一底部;(c)一绝缘间隔物,在相邻于该第一绝缘层与该闸极导体之开口之每一边墙上各具有一绝缘间隔物;(d)一第一导电材料层,其位于该开口中;(e)一第二绝缘材料层,其位于该第一导电材料层上。13.如申请专利范围第12项之结构,更包括:(f)一层第二导电材料层,其位于该第二绝缘层上。14.如申请专利范围第13项之结构,更包括一自我对准层,其位于该闸极导体上。15.如申请专利范围第12项之结构,其中一掺杂剂系植入在该开口之底部之半导体基板中。16.如申请专利范围第15项之结构,其中该掺杂剂为硼。17.如申请专利范围第12项之结构,其中该第一与第二绝缘层为四乙基氧矽酸盐。18.如申请专利范围第12项之结构,其中该绝缘间隔物为氮化矽。19.如申请专利范围第12项之结构,其中该第一导电材料为P+型多晶矽。20.如申请专利范围第12项之结构,其中该第二导电材料为多晶矽。图式简单说明:图1系习知之绝缘层上有矽结构之顶视平面图,其显示上述闸极导体区和氮化物间隔物。图2系图1中沿着剖面线2-2所取之剖面图。图3系本发明之绝缘层上有矽结构之顶视平面图,其显示本体接触面罩开口。图4系图3中沿着线4-4所取之剖面图。图5系本发明之绝缘层上有矽结构之仰视图,其显示开口于四乙基氧矽酸盐层之氮化物层。图6系在使闸极导体开口至多晶矽表面后之本发明之绝缘层上有矽结构之仰视图。图7系本发明之绝缘层上有矽结构之仰视图,其显示氮化物间隔物形成于本体接触开口之边墙上。图8系本体接触介层之开口至半导体基板后之本发明之绝缘层上有矽结构之仰视图。图9系本发明之绝缘层上有矽结构之顶视平面图,其显示本发明之本体接触。图10系图9中沿着剖面线10-10所取之剖面图。图11系沈积低电阻区于本体接触开口中后之本发明之绝缘层上有矽结构之仰视图。图12系本发明之绝缘层上有矽结构之顶视平面图,其显示一位于闸极导体上方之低电阻矽化物。图13系图12中沿剖面线13-13所取之剖面图。 |
