| 主权项 |
1.一种积体记忆体, -具有记忆胞(MC),其有磁阻性记忆体效应,此记忆胞 是接通介于多个线路(BL0至BLn)之各一与多个列线 路(WL0至WLm)各一之间, -其中行线路(BL0至BLn)与读出放大器(3)连接, -其中列线路(WL0至WLm)可各与一用于选择信号(GRD) 之端子连接,用以读出所选择记忆胞(MC3)之资料信 号(DA),或经由此与被选择记忆胞(MC3)相连接之行线 路(BL2),而将资料信号(DA)写入所选择之记忆胞(MC3) 中,其特征为, 须形成读出放大器(3)并且可藉由控制装置(4)控制, 使得至少一个此未与被选择之记忆胞(MC3)相连接 之行线路(BL0)(其与至少一个故障记忆胞(MC2)相连 接),藉由它而造成在列线路(WL2)与行线路(BL0)之各 一之间的短路(KS),用于读出或写入之资料信号(DA), 在读出放大器(3)中被电性绝缘。2.如申请专利范 围第1项之积体记忆体,其中 此等行线路(BL0至BLn)与各一个驱动电路(30至3n)连 接,其可在导电状态中或非导电状态中操作。3.如 申请专利范围第2项之积体记忆体,其中 各驱动电路(30至3n)配置一记忆体单元(40至4n),藉由 它可控制驱动电路(30至3n)。4.如申请专利范围第3 项之积体记忆体,其中 此记忆体单元(40至4n)至少其有一电性可程式或一 藉由能量射线可程式之元件(50)。5.如申请专利范 围第1至4项中任一项之积体记忆体,其中此积体记 忆体至少具有一冗余行线路(RBL)用于更换此等行 线路(BL0至BLn)之一。图式简单说明: 本发明唯一之图式显示具有磁性记忆体效应之记 忆胞MC之MRAM记忆体之实施例。 |
