| 主权项 |
1.一种用于形成晶圆等级晶片尺度封装之方法,这方法包括的步骤为:(a)提供一种半导体晶圆具有复数层垫体的表面,其中每个垫体具有一金属导体延伸远离自表面的第一预定距离。(b)在金属导体的自由端形成一层导电性抗蚀刻材料。(c)在半导体晶圆的表面布放电性绝缘材料,其中电性绝缘材料层具有一自半导体晶圆表面至第二预定距离的暴露表面,其中第二预定距离是小于第一预定距离,且电性绝缘材料部分被布放在传导性抗蚀刻材料层上,且在侧边表面至少有某些金属性导体。(d)布放在传导性抗蚀刻材料层与在侧边的某些金属性导体上的所有电性绝缘材料部份予与蚀刻去除。2.如申请专利范围第1项所述之一种方法,其进一步包含的步骤为:(e)布放可回流焊材料在自由端的金属性导体上之导电性防蚀刻层上。(f)回流焊此半导体晶圆,使回流焊材料附着在导电性防蚀刻层和金属性导体之部分的侧表面上。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(b)包含沈积导电性防蚀刻材料在金属性导体之自由端。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤(b)包含沈积金分子步骤。5.如申请专利范围第3项所述之方法,其中步骤(b)包含沈积镍分子层,随而将金分子层沈积在镍分子层上。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(b)包含镀敷防蚀刻材料在金属性导体的自由端上。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)包含以挤压涂布制程布放电性绝缘材料的步骤。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)包含一单一布放步骤。9.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)包含旋转涂布电性绝缘材料层在半导体晶圆的表面之步骤。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中步骤(c)包含选自底填涂布材料与光易显像材料所组成的组群中之一种材料的旋转涂布步骤。11.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(c)包含在半导体晶圆的表面上以模铸电性绝缘材料层的步骤时使用脱模膜。12.如申请专利范围第1项所述之方法,其中步骤(d)包含电浆蚀刻步骤。13.如申请专利范围第1项所述之方法其中步骤(e)包含印刷沈积焊点的步骤。14.如申请专利范围第1项所述之方法,其进一步包含在步骤(c)之后步骤(d)之前,熟化此电性绝缘材料步骤。15.如申请专利范围第14项所述之方法,在步骤(c)之后和熟化此电性绝缘材料步骤之前,清洁布放在导电性防蚀刻材料层上的部分导线性绝缘材料之步骤。16.如申请专利范围第15项所述之方法,其中的清洁步骤包括的步骤为:施加脱模膜在导电性防蚀刻材料层上;且去除脱模膜。17.如申请专利范围第15项所述之方法,其中的清洁步骤包括雷射清洁的步骤。18.一种晶圆等级晶片尺度之封装,其包含:一种半导体晶粒表面具有复数垫体;自复数垫体延伸一第一预定距离之金属性导体;在金属性导体的自由端上有一防蚀刻层;表面上有一绝缘层,这绝缘层具有一暴露表面,距表面有一第二预定距离,其中第二预定距离小于第一预定距离;且回流焊材料附着在防蚀刻层和所有金属性导体之侧表面之部分。19.如申请专利范围第18项之晶圆等级晶片尺度之封装,其中金属性导体包含铜导体。20.如申请专利范围第19项之晶圆等级晶片尺度之封装,其中铜导体包含复层的铜板层。21.如申请专利范围第18项之晶圆等级晶片尺度之封装,其中防蚀刻层包含金分子层。22.如申请专利范围第18项之晶圆等级晶片尺度之封装,其中防蚀刻层包含一镍分子层中含有金分子层。23.如申请专利范围第22项之晶圆等级晶片尺度之封装,其中金分子层的厚度是小于第一预定距离与第二预定距离之间的値。24.如申请专利范围第18项之晶圆等级晶片尺度之封装,其中绝缘层包含一种选自模铸化合物、胶囊环氧树脂、底填涂料和光易显像性材料,如苯并环丁烯(BCB)或聚亚胺所组成的材料中之一种。25.如申请专利范围第18项之晶圆等级晶片尺度之封装,其中回流焊材料包含焊锡(solder)。26.如申请专利范围第25项之晶圆等级晶片尺度之封装,其中焊锡包含低共熔性焊锡。图式简单说明:第1图显示一依据习知技艺之形成晶圆等级晶片尺度的封装的详细制程流程图;第2A-E图显示依据图1的制程所形成晶圆等级晶片尺度封装之横切面侧视图;第3图显示依据本发明所形成晶圆等级晶片尺度之封装的详细制程之流程图;第4A-E图显示依据图3的制程所形成晶圆等级晶片尺度之封装的横切面侧视图;第5-7图显示在图4C-E的形成晶圆等级晶片尺度封装的部分横切面侧视放大图;第8图显示可视同第3图制程的促进部分之薄膜布放在半导体晶圆上的横切面侧视图。 |
