| 主权项 |
1.一种磁性随机存取记忆体装置(8)包含一记忆体 细胞(12)阵列,包括磁性隧道接面(30),磁性隧道接面 (30)包括具有部分处理底材之隧道障壁(40)。2.根据 申请专利范围第1项之装置,其中部分处理底材系 低氧化。3.根据申请专利范围第1项之装置,其中部 分处理底材系低氮化。4.根据申请专利范围第1项 之装置,其中隧道障壁(40)第一表面底材之密度系 实质低于隧道障壁(40)第二表面底材之密度。5.根 据申请专利范围第1项之装置,其中部分处理底材 所增加之崩溃电压,至少为具有完全处理底材接面 之崩溃电压的两倍。6.根据申请专利范围第1项之 装置,其中磁性隧道接面(30)系旋转相依隧道接面 。图式简单说明: 第1图系说明一SDT接面包括具有部分处理底材之隧 道障壁; 第2图系具有氧化铝隧道障壁SDT接面之崩溃电压与 氧化时间对比的图示; 第3图系说明一MRAM装置,包括SDT接面在其隧道接面 中具有部分处理底材;及 第4图系说明一制造MRAM装置之方法。 |
