| 主权项 |
1.一种记忆体单元装置,其包括: 一第一及第二磁性层,其中该第一及第二层中至少 一者大体上为"H"形;及 一隔离层对,配置于该第一及第二层之间。2.一种 记忆体单元装置,其包括: 一作为一参考层之磁性第一层及一作为一资料层 之磁性第二层,其中该资料层大体上为"H"形,及 一隔离层,配置于该参考及资料层之间。3.根据申 请专利范围第1或2项之装置,其中该隔离层系为导 电性。4.根据申请专利范围第1或2项之装置,其中 该隔离层系为非导电性。5.根据申请专利范围第1 或2项之装置,其中该装置形成一巨大磁电阻(GMR)记 忆体单元。6.根据申请专利范围第1或2项之装置, 其中该装置形成一隧道磁电阻(TMR)记忆体单元。7. 根据申请专利范围第1或2项之装置,其中该第一及 第二层具有不同的矫顽磁性。8.根据申请专利范 围第1或2项之装置,其中该第一及第二层中一者系 为插销。9.根据申请专利范围第1或2项之装置,其 中该第一及第二层中至少一者包含下述材料中之 一:镍-铁(NiFe)、钴-铁(CoFe)或镍-铁-钴(NiFeCo)合金。 10.一种记忆体装置,其包括: 多数个磁电阻记忆体单元,每一单元具有一"H"形资 料层。图式简单说明: 第1图图示说明一旋转依赖磁电阻记忆体单元的一 实施例。 第2图图示说明于一非均质磁性膜的一磁区图形。 第3图图示说明于具有Y轴单轴各向异性的磁性膜 的磁区图形。 第4图图示说明于亦具有Y轴单轴各向异性之一"H" 形磁性膜之一磁区图形。 第5图图示说明于一阵列中之多数个记忆体单元之 一"H"形感应层。 |
