发明名称 薄膜磁性记录媒体之制造方法
摘要 提供一种薄膜磁性记录媒体之制造方法,容易进行保护层成膜后之表面粒子除去且不会擦伤保护层,使磁性磁头浮上进行稳定,由于记录再生时之信号缺落错误少。薄膜磁性记录媒体之制造方法,系具有:成膜制程,在非磁性基体上藉由乾燥处理至少依顺序用以形成磁性记录层及保护层;及润滑层形成制程,在该保护层上用以形成润滑层;而在成膜制程及润滑层形成制程之间,具有等离子体蚀刻制程在保护层之表面实施等离子体蚀刻处理,将由成膜制程到等离子体蚀刻制程为止在真空中连续进行。【选择图】
申请公布号 TW512323 申请公布日期 2002.12.01
申请号 TW090116887 申请日期 2001.07.10
申请人 富士电机股份有限公司 发明人 石桥信一;岩间敏范;寺锐二;洼田正雄;小林勇治
分类号 G11B5/84;C23C14/58;C23C16/56 主分类号 G11B5/84
代理机构 代理人 林志刚 台北巿南京东路二段一二五号七楼
主权项 1.一种薄膜磁性记录媒体之制造方法,系具有:成膜 制程,在非磁性基体上藉由乾燥处理至少依顺序用 以形成磁性记录层及保护层;及润滑层形成制程, 在前述保护层上用以形成润滑层;其特征为: 在前述成膜制程及前述润滑层形成制程之间,具有 等离子体蚀刻制程在保护层之表面实施等离子体 蚀刻处理,并将由前述成膜制程到前述等离子体蚀 刻制程为止在真空中连绩进行。2.如申请专利范 围第1项所记载之薄膜磁性记录媒体之制造方法, 其中前述成膜制程,系由溅镀法,离子电镀法,等离 子体CVD法,及真空蒸镀法所构成之群以被选择之方 法进行者。3.如申请专利范围第1项所记载之薄膜 磁性记录媒体之制造方法,其中前述之等离子体蚀 刻制程,系可用以使用做为处理气体之不活性气体 ,及由氮,氧,氯,以及氟所构成之群被选择之气体的 混合气体者。4.如申请专利范围第2项所记载之薄 膜磁性记录媒体之制造方法,其中前述之等离子体 蚀刻制程,系可用以使用做为处理气体之不活性气 体,及由氮,氧,氯,以及氟所构成之群被选择之气体 的混合气体者。图式简单说明: 图1系显示先前之薄膜磁性记录媒体之制造制程流 程图。 图2系根据本发明中之制造方法被制造一例的薄膜 磁性记录媒体之剖面略图。 图3系显示本发明中之薄膜磁性记录媒体之制造制 程的流程图。 图4系显示由实施例1至3及比较例1至3设置被取得 之薄膜磁性记录媒体的润滑层前之保护层表面的 粒子数之图。
地址 日本