| 主权项 |
1.一种电场电子释出装置之制造方法,在电子源使 用碳毫微米管, 其特征在于: 至少在电场电子释出装置之一部分之制造制程中, 具有在前述碳毫微米管之表面上而形成保护用膜 之保护用膜形成制程。2.如申请专利范围第1项之 电场电子释出装置之制造方法,其中,在前述保护 用膜形成制程中,实行加热制程、热处理制程、电 浆处理制程、电浆蚀刻制程、藉由气相、电浆、 液相或固态相中之任何一种而形成薄膜之制程、 藉由溶液而进行蚀刻或表面处理之制程、阻剂涂 敷制程、阻剂显影制程和阻剂剥离制程中之至少 一种。3.如申请专利范围第1或2项之电场电子释出 装置之制造方法,其中,在前述保护用膜形成制程 中,前述保护用膜系成为导电性。4.如申请专利范 围第1项之电场电子释出装置之制造方法,其中,在 前述保护用膜形成制程中,包括在前述碳毫微米管 之表面具有前述保护用膜之状态下而使得前述保 护用膜曝露在电浆中之制程。5.如申请专利范围 第4项之电场电子释出装置之制造方法,其中,在前 述保护用膜形成制程中,还包括藉由化学蚀刻而除 去前述保护用膜之一部分之制程。6.如申请专利 范围第1项之电场电子释出装置之制造方法,其中, 使用铝作为前述保护用膜。7.如申请专利范围第6 项之电场电子释出装置之制造方法,其中,前述铝 、其膜厚系为600nm以上。8.如申请专利范围第6项 之电场电子释出装置之制造方法,其中,在钛金属 配线上,沈积前述碳毫微米管而组成的。9.如申请 专利范围第1项之电场电子释出装置之制造方法, 其中,包括在对于表面形成前述保护用膜之前述碳 毫微米管进行抛光后而沈积闸极金属之制程。10. 如申请专利范围第1项之电场电子释出装置之制造 方法,其中,包括在对于前述保护用膜沈积闸极金 属及进行图案化后而曝露在抛光用电浆中之制程 。11.如申请专利范围第10项之电场电子释出装置 之制造方法,其中,藉由前述闸极金属,而在覆盖射 极孔洞内侧壁之一部分或全部之状态下,使得前述 保护用膜,曝露在前述抛光用电浆中。12.如申请专 利范围第11项之电场电子释出装置之制造方法,其 中,包括在前述保护用膜曝露在前述抛光用电浆中 之后而除去覆盖前述射极孔洞内侧壁之前述闸极 金属之制程。13.一种电场电子释出装置之制造方 法,在电子源使用碳毫微米管, 其特征在于: 具有在前述碳毫微米管之表面形成钛膜之薄膜后 而藉由进行热处理以便于将该碳毫微米管改质为 氮化钛之制程。14.一种电场电子释出装置之制造 方法,在电子源使用碳毫微米管, 其特征在于: 具有在前述碳毫微米管之表面形成铝膜之薄膜后 而藉由进行热处理以便于形成铝微粒之制程。15. 一种电场电子释出装置之制造方法,在电子源使用 碳毫微米管, 其特征在于: 具有使得残留在前述碳毫微米管附近之前述保护 用膜形成锐利为直角或锐角之构造之制程。16.一 种电场电子释出装置,在电子源使用碳毫微米管, 其特征在于: 在装置的制造中,形成在前述碳毫微米管之表面之 保护用膜的一部分残留。17.如申请专利范围第16 项之电场电子释出装置,其中,前述保护用膜系为 导电性且兼具阴极配线功能之构造。18.如申请专 利范围第17项之电场电子释出装置,其中,前述保护 用膜系也接触到并无存在碳毫微米管之基板上而 形成的。19.如申请专利范围第18项之电场电子释 出装置,其中,在藉由前述保护用膜而覆盖住之前 述碳毫微米管上,层积绝缘膜,并且,在该绝缘膜上, 层积闸极导电膜。20.如申请专利范围第19项之电 场电子释出装置,其中,具有剥离前述绝缘膜、前 述闸极导电膜和前述保护用膜之一部分而露出前 述碳毫微米管之部分。21.如申请专利范围第17.18. 19或20项之电场电子释出装置,其中,设置在阴极配 线或碳毫微米管和闸极导电膜间之绝缘膜,系成为 有机物质。22.如申请专利范围第17.18.19或20项之电 场电子释出装置,其中,设置在阴极配线或碳毫微 米管和闸极导电膜间之绝缘膜,系成为感光性材料 。23.如申请专利范围第21项之电场电子释出装置, 其中,前述绝缘膜,系使用聚醯亚胺树脂、环氧树 脂、丙烯酸树脂、环氧丙烯酸酯树脂、有机矽系 树脂以及SOG(Spin On Glass:SiOx酒精溶液)中之任何一 种,作为材料。24.如申请专利范围第21项之电场电 子释出装置,其中,前述绝缘膜,系由具有茀骨格之 环氧丙烯酸酯树脂或苯并环丁烯树脂而组成的。 25.如申请专利范围第21项之电场电子释出装置,其 中,前述绝缘膜,系藉由300℃以下之加热温度条件 而硬化成形。26.如申请专利范围第21项之电场电 子释出装置,其中,前述绝缘膜,系藉由大气中300℃ 以上之加热温度条件而进行变色。27.如申请专利 范围第21项之电场电子释出装置,其中,前述绝缘膜 ,系藉由氮气氛中450℃以上之加热温度条件而进行 变色。28.如申请专利范围第17.18.19或20项之电场电 子释出装置,其中,设置在阴极配线或碳毫微米管 和闸极导电膜间之绝缘膜,系成为有机感光性材料 。29.如申请专利范围第28项之电场电子释出装置, 其中,前述绝缘膜,系使用聚醯亚胺树脂、环氧树 脂、丙烯酸树脂、环氧丙烯酸酯树脂、有机矽系 树脂以及SOG(Spin On Glass:SiOx酒精溶液)中之任何一 种,作为材料。30.如申请专利范围第28项之电场电 子释出装置,其中,前述绝缘膜,系由具有茀骨格之 环氧丙烯酸酯树脂或苯并环丁烯树脂而组成的。 31.如申请专利范围第28项之电场电子释出装置,其 中,前述绝缘膜,系藉由300℃以下之加热温度条件 而硬化成形。32.如申请专利范围第28项之电场电 子释出装置,其中,前述绝缘膜,系藉由大气中300℃ 以上之加热温度条件而进行变色。33.如申请专利 范围第28项之电场电子释出装置,其中,前述绝缘膜 ,系藉由氮气氛中450℃以上之加热温度条件而进行 变色。34.如申请专利范围第17.18.19或20项之电场电 子释出装置,其中,设置在阴极配线或碳毫微米管 和闸极导电膜间之绝缘膜,系成为配合加热履历而 进行变色之材料。35.如申请专利范围第34项之电 场电子释出装置,其中,前述绝缘膜,系使用聚醯亚 胺树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂、环氧丙烯酸酯 树脂、有机矽系树脂以及SOG(Spin On Glass:SiOx酒精溶 液)中之任何一种,作为材料。36.如申请专利范围 第34项之电场电子释出装置,其中,前述绝缘膜,系 由具有茀骨格之环氧丙烯酸酯树脂或苯并环丁烯 树脂而组成的。37.如申请专利范围第34项之电场 电子释出装置,其中,前述绝缘膜,系藉由300℃以下 之加热温度条件而硬化成形。38.如申请专利范围 第34项之电场电子释出装置,其中,前述绝缘膜,系 藉由大气中300℃以上之加热温度条件而进行变色 。39.如申请专利范围第34项之电场电子释出装置, 其中,前述绝缘膜,系藉由氮气氛中450℃以上之加 热温度条件而进行变色。图式简单说明: 图1(a)-(d)系呈不同阶段地显示作为本发明之实施 例1之电场电子释出装置之制造方法之具体例而藉 由阴极板和萤光屏幕之所构成之二极管构造射极( 电场电子释出装置之中途制品)之制造制程之侧面 剖面图;图1(e)和图1(f)系呈各个阶段地显示作为本 发明之实施例2之电场电子释出装置之制造方法之 具体例而取代图1(b)状态和图1(c)状态之铝膜呈覆 盖为微细构造之状态之电场电子释出装置之制造 制程之侧面剖面图; 图2(a)-(f)系呈不同阶段地显示作为本发明之实施 例3之电场电子释出装置之制造方法之具体例、在 玻璃基板上舖设阴极配线后而沈积CNT膜之所构成 之电场电子释出装置之制造制程之侧面剖面图; 图3(a)-(d)系呈不同阶段地显示作为本发明之实施 例4之电场电子释出装置之制造方法之具体例而具 有闸极导电膜之三极管构造之电场电子释出装置 之制造制程之侧面剖面图; 图4(a)-(d)系呈不同阶段地显示作为本发明之实施 例5之电场电子释出装置之制造方法之具体例而具 有闸极导电膜之三极管构造之电场电子释出装置 之制造制程之侧面剖面图; 图5系显示作为实施例6之电场电子释出装置而使 得闸极导电膜呈图案化为线条状之FED基本构造呈 局部地破坏之立体图; 图6(a)和图6(b)系呈不同阶段地显示作为本发明之 实施例7之电场电子释出装置之制造方法之具体例 而使得保护用膜和微细构造发生反应之状态下之 电场电子释出装置之制造制程之侧面剖面图; 图7系显示作为本发明之实施例8之电场电子释出 装置之制造方法之具体例、在除去一部分之在前 述各个实施例之电场电子释出装置之制造制程之 初期阶段之所形成之保护用膜之铝膜之状态下而 使得角部锐利成为直角或锐角以便于电场集中在 铝膜角部上之锐利构造状铝之制程之侧面剖面图; 以及 图8系显示作为实施例11.12之电场电子释出装置而 使得闸极导电膜呈图案化为线条状之FED基本构造 呈局部地破坏之立体图。 |
