| 摘要 |
<p>본 발명은 반도체소자의 캐패시터 형성방법에 관한 것으로, 저장전극 마스크를 이용하여 제1도전체를 패터닝하고 그 상부에 희생절연막을 형성한 다음, 그 상부에 하드마스크를 형성하고 상기 제1도전체 상측을 노출시킬 수 있는 마스크를 이용하여 상기 하드마스크를 패터닝한 다음, 패터닝된 하드마스크를 이용한 식각공정으로 상기 희생절연막을 식각하여 상기 제1도전체를 노출시키고 상기 제 1 도전체에 접속되는 제2도전체로 실린더형 측벽를 형성함으로써 실린더형 저장전극을 용이하게 형성하여 브릿지 ( bridge ) 등의 현상없이 반도체소자의 고집적화에 따른 용이하게 실시할 수 있도록 하는 기술이다.</p> |
