发明名称 SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATING METHOD THEREOF
摘要 본 발명은 표면실장형의 반도체장치에 관한 것이며, 저비용화 및 저배화(低背化)를 도모함과 동시에 확실한 처킹(chucking)을 행하는 것을 과제로 한다. 반도체소자(32)와, 외부 접속단자로서 기능하는 볼(34)과, 반도체소자(32)와 볼(34)을 전기적으로 접속하는 기판(33A)과, 적어도 반도체소자(32)의 일부를 밀봉하도록 설치된 몰드수지(35A)와, 기판(33A)과 반도체소자(32)와의 접속부를 밀봉하는 접속부 밀봉수지(41A)를 구비하고, 볼(34)을 통해서 실장기판(46)에 실장되는 반도체장치에 있어서, 몰드수지(35A)의 열팽창률을 실장기판(46)의 열팽창률과 정합시킴과 동시에, 몰드수지(35A)에 반도체소자(32)의 측면을 지지하는 측면지지부 (42)를 형성하여, 반도체소자(32)의 열변형을 규제하는 구성으로 한다.
申请公布号 KR100362763(B1) 申请公布日期 2002.11.29
申请号 KR19990023101 申请日期 1999.06.19
申请人 후지쯔 가부시끼가이샤 发明人 가또요시쓰구;사또미쓰다까;이노우에히로시;오리모세이이찌;오까다아끼라;구보따요시히로;아베미쓰오;하마노도시오;아이바요시다까;후지사와데쓰야;세끼마사아끼;시바노리아끼
分类号 H01L23/12;H01L21/56;H01L23/28;H01L23/29;H01L23/31;H01L23/433;H01L23/50 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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