| 发明名称 |
Method of producing silicon variable capacitance diodes by diffusion |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3392067(A) |
申请公布日期 |
1968.07.09 |
| 申请号 |
US19660561499 |
申请日期 |
1966.06.29 |
| 申请人 |
FUJITSU LIMITED |
发明人 |
HORIBA TARO;NAKAJIMA YOSHIO |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L29/00;H01L29/93 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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