| 摘要 |
<p>Zur Kontaktierung eines elektrischen Bauelementes (2), insbesondere eines Halbleiterbauelementes, auf einem eine Leiterstruktur (3) aufweisenden Substrat (1) wird die Fügetemperatur derart gewählt, dass das Substrat (1) unter Ausübung eines Drucks auf das elektrische Bauelement (2) eine plastische Verformung erfährt, so dass das elektrische Bauelement zusammen mit der Leiterstruktur (3) formschlüssig in das Substrat (1) gedrückt wird. Zur Herstellung der Verbindung zwischen dem Bauelement und dem Substrat wird vorzugsweise eine dünne Diffusionslotschicht verwendet, die bei Temperaturen verarbeitet werden kann, die unter dem Schmelzpunkt des Substrates liegt.</p> |
