| 摘要 |
Es wird ein Atomschicht-Abscheidungs(ALD)-Verfahren beschrieben, das Si¶2¶Cl¶6¶ und NH¶3¶ oder Si¶2¶Cl¶6¶ und aktiviertes NH¶3¶ als Reaktanten verwendet. In einer Ausführungsform schließt die Erfindung die folgenden Schritte ein: (a) Einbringen eines Substrats in eine Kammer, (b) Einspritzen eines ersten Si¶2¶Cl¶6¶-haltigen Reaktanten in die Kammer, (c) Chemisorbieren eines ersten Anteils des ersten Reaktanten auf dem Substrat und Physisorbieren eines zweiten Anteils des ersten Reaktanten auf dem Substrat, (d) Entfernen des nicht chemisch absorbierten Anteils des ersten Reaktanten aus der Kammer, (e) Einspritzen eines zweiten Reaktanten, der NH¶3¶ enthält, in die Kammer, (f) chemisches Umsetzen eines ersten Anteils des zweiten Reaktanten mit dem chemisorbierten ersten Anteil des ersten Reaktanten, wodurch ein Silicium-haltiger Feststoff auf dem Substrat gebildet wird, und (g) Entfernen des nicht umgesetzten Anteils des zweiten Reaktanten aus der Kammer. In anderen Ausführungsformen kann der erste Reaktant zwei oder mehrere Verbindungen enthalten, die Si und Cl enthalten, beispielsweise Si¶2¶Cl¶6¶ und SiCl¶4¶. In anderen Ausführungsformen der Erfindung werden die Schritte b-g einmal oder mehrmals wiederholt, um die Dicke der Schicht zu erhöhen.
|
