| 发明名称 | 制造绝缘层和半导体器件的方法及由此形成的半导体器件 | ||
| 摘要 | 一种制造绝缘层的方法保证了利用类似制造装置的再现性。该绝缘层是通过以下步骤在衬底上形成的:(a)以氧化气体流量流入氧化气体,(b)以第一载气流量流入第一载气,同时载有以第一杂质流量流入的包括硼的第一杂质,和(c)以第二载气流量流入第二载气,同时载有以第二杂质流量流入的包括磷的第二杂质,和(d)以硅源流量流入硅源材料。第二载气流量高于第一载气流量。 | ||
| 申请公布号 | CN1381875A | 申请公布日期 | 2002.11.27 |
| 申请号 | CN02105694.3 | 申请日期 | 2002.04.18 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 郑佑讚;田真镐;林全植;李钟昇 |
| 分类号 | H01L21/31;H01L21/311;H01L29/78 | 主分类号 | H01L21/31 |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 谢丽娜;谷惠敏 |
| 主权项 | 1.一种制造绝缘层的方法，包括：通过(a)以氧化气体流量流入用于形成氧化气氛的氧化气体，(b)以第一载气流量流入第一载气，和(c)以第二载气流量流入第二载气，其中第二载气流量高于第一载气流量，由此在处理室中产生用于形成流体绝缘层的处理气氛；和通过(d)以氧化气体流量流入氧化气体，(e)以第一载气流量流入第一载气，同时载有以第一杂质流量流入的包括硼的第一杂质，(f)以第二载气流量流入第二载气，同时载有以第二杂质流量流入的包括磷的第二杂质，第二载气流量高于第一载气流量，和(g)以硅源流量流入硅源材料，由此在设置在处理室中的衬底上形成流体绝缘层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||