发明名称 发光器件和使用该器件的发光设备
摘要 本发明提供一种发光器件和使用该设备的发光设备。所述发光器件包括n型或p型衬底;掺杂区,其在衬底一个表面上用预定掺杂剂形成并达到超浅深度,其中所述预定掺杂剂是与衬底掺杂剂相反的类型,由此通过量子约束效应从掺杂区和衬底之间的p-n结中发光;共振器,其提高从p-n结中发射光波长的选择性;和第一和第二电极,分别在衬底一个表面和另一表面上形成,用于喷射电子空穴和电子。该发光器件包括超浅掺杂区,由此它可以利用p-n结中量子约束效应来发光。增加一种只用于共振特定波长范围光的共振器结构,由此光波长的选择性得到明显提高并具有良好效率。通过共振器结构光发射强度得到增强,并且发射光的方向性与传统的发光设备相比得到进一步提高。
申请公布号 CN1381908A 申请公布日期 2002.11.27
申请号 CN02120170.6 申请日期 2002.04.17
申请人 三星电子株式会社 发明人 李银京;崔秉龙;刘在镐
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 肖鹂;陈小雯
主权项 1、一种发光器件,包括:n型或p型衬底;掺杂区,其在衬底一个表面上用预定掺杂剂形成并达到超浅深度,其中所述预定掺杂剂是与衬底掺杂剂相反的类型,由此通过量子约束效应从掺杂区和衬底之间的p-n结中发光;共振器,其提高从p-n结中发射光波长的选择性;和第一和第二电极,分别在衬底一个表面和另一表面上形成,用于喷射电子空穴和电子。
地址 韩国京畿道