平板显示的驱动芯片用高压器件结构

摘要

本实用新型公开了一种平板显示的驱动芯片用高压器件，由高压二极管、高压P型MOS管和高压N型横向双扩散MOS管组成，高压N型横向双扩散MOS管设在P型衬底上，在P型衬底上位于高压N型横向双扩散MOS管的源区下方位置设有P型阱，在P型衬底上设有N型深阱，高压二极管和高压P型MOS管设在N型深阱内。本实用新型具有制造成本低，高压器件可靠性高的优点，其制造工艺可采用可兼容标准体硅低压CMOS工艺。

主权项

1、一种平板显示的驱动芯片用高压器件结构，由高压二极管(1)、高压P型MOS管(2)和高压N型横向双扩散MOS管(3)组成，其特征在于高压N型横向双扩散MOS管(3)设在P型衬底(5)上，在P型衬底(5)上位于高压N型横向双扩散MOS管(3)的源区(32)下方位置设有P型阱(51)，在P型衬底(5)上设有N型深阱(4)，高压二极管(1)和高压P型MOS管(2)设在N型深阱(4)内。