制造多层太阳能电池的方法和半导体结构

摘要

一种半导体结构及其形成方法，所述结构中，支撑衬底或基片(12)为支撑上层的有源区提供机械力。淀积在衬底或基片(12)上的薄介质层(11)隔离所淀积的层与衬底，以防止光学、金属和/或化学穿透。然后淀积引晶层(13)，适当处理引晶层可得到所要求的大晶粒。该层可以在淀积时结晶，或可以以非晶形式淀积，然后通过进一步的处理结晶。然后在引晶层上淀积极性交替变化的非晶硅层或硅合金层(14、15、16、17)的叠层，这些交替层中掺有n型或p型掺杂剂。然后进行固相结晶，获得在低温下持续加热这些层可获得的所要求的3μm或更大的晶粒。

主权项

1.一种制造用于多结太阳能电池的多层半导体结构的方法，该方法包括以下步骤：直接或间接在衬底或基片上形成数层非晶半导体材料层，以形成多层结构，其中相邻各层掺杂浓度或掺杂类型不同；邻接至少一个非晶层形成成核面；加热到预定温度处理多层结构，从而使邻接成核层的非晶层固相结晶，结晶从成核面成核。