发明名称 |
自旋阀式磁阻磁头及其制造方法 |
摘要 |
一种制造自旋阀式GMR头的方法,该磁头的固定磁化层可使磁化方向维持在预期的方向。按照本发明的一个方面,该方法包含的步骤有:形成一磁膜,其至少包含自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及磁畴控制层;在磁场中对其进行第一热处理,增强自由磁化层的磁异向性;在磁场中和高于先前各处理过程中最大。温度下进行第二热处理,固定在固定磁化层中的磁化方向。 |
申请公布号 |
CN1095154C |
申请公布日期 |
2002.11.27 |
申请号 |
CN98104446.8 |
申请日期 |
1998.02.13 |
申请人 |
富士通株式会社 |
发明人 |
金井均;青岛贤一;山田健一郎;冈田光正;清水栄二;兼淳一 |
分类号 |
G11B5/39 |
主分类号 |
G11B5/39 |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 |
代理人 |
杜日新 |
主权项 |
1.一种用于制造自旋阀式巨磁阻磁头的方法,包括步骤:形成一薄膜,其至少包括:自由磁化层、非磁性金属层、固定磁化层以及包括有序反铁磁层的磁畴控制层;在磁场作用下对所述薄膜进行第一热处理,以增强所述自由磁化层的磁异向性;以及在磁场作用下和在一定温度下对所述薄膜进行第二热处理以便将在所述固定磁化层中的磁化方向固定,该温度高于所述第二热处理之前的各种理过程中采用的最大温度。 |
地址 |
日本神奈川 |