Ti和W合金上浸渍沉积钯以选择性引发无电沉积制作晶片

摘要

本文涉及一种制造集成电路晶片的方法，其中晶片中具有通道或其它通路，该通路具有屏障层/粘合层或其它金属层，该金属层被金属化，以形成含有活化金属层的电路，然后用优选含有碱性的钯的非氨型氮(乙二胺)配合物的敏化置换组合物，在特别控制的pH下与晶片接触以敏化金属层。用含有配位任何溶解的金属的配位剂的活化溶液活化晶片。敏化溶液也优选含有能配位任何溶解的金属的配位剂，并优选含有辅助配位剂例如EDTA以增溶贱金属(base metal)杂质。

主权项

1.一种在制造沉积有介质材料层的硅集成电路晶片中所使用的Ti、W、Ti/W合金、铝或铝合金金属层上进行无电金属沉积的方法，该方法包括：在晶片的介质层中以通道或其他通路的形式形成所要求的电路图形，该通道或其他通路由介质层延伸到硅层；在通道或其他通路中的硅层上沉积金属层；通过用活化溶液与晶片接触以活化晶片的金属层，该活化溶液除去金属层氧化物和/或刻蚀金属表面，该活化溶液是酸性或是碱性的并包含一种配位剂，以与在活化步骤期间可以被除去的金属形成配合物；通过使含有敏化金属非氨型氮配合物以敏化金属层的碱性敏化溶液组合物与晶片接触，以敏化晶片的活化金属层；和通过使无电金属沉积溶液与晶片接触，以在晶片上的敏化过的金属层上进行无电金属沉积，其中金属沉积在敏化过的金属层上，而基本不沉积在晶片的其他区域。