发明名称 半导体器件的修补测试方法
摘要 一种半导体器件的修补测试方法,在一个晶粒上使用一个对准键,使得对准键所占空间减少,避免因对准键空间过大与线路过近,或因缩小每一对准键大小,造成激光修补机误判的情形。并且利用周围任一晶粒的对准键,由固定的晶粒及切割道的长、宽,推算出相对坐标,有效提高激光修补的精密度,找出损坏线路的正确位置,使得修补率及晶粒的合格率提高。
申请公布号 CN1095194C 申请公布日期 2002.11.27
申请号 CN97122985.6 申请日期 1997.11.28
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 陈扬
分类号 H01L21/00;H01L21/66;B23K26/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波
主权项 1.一种半导体器件的修补测试方法,用于一激光修补机,包括下列步骤:提供具有多个晶粒的一晶片,其中每一所述晶粒上具有一L型对准键,且每一所述L型对准键在对应的每一所述晶粒上相同的位置;在这些晶粒中,取任一晶粒的所述L型对准键,设定为一基本对准键;在所述基本对准键外的晶粒中取任一晶粒的所述L型对准键,设定为一对称对准键;利用所述基本对准键与所述对称对准键,以所述激光修补机扫描,找出一损坏线路;以及将所述损坏线路烧断,替换为一更新线路。
地址 台湾省新竹科学工业园区