发明名称 |
半导体器件的修补测试方法 |
摘要 |
一种半导体器件的修补测试方法,在一个晶粒上使用一个对准键,使得对准键所占空间减少,避免因对准键空间过大与线路过近,或因缩小每一对准键大小,造成激光修补机误判的情形。并且利用周围任一晶粒的对准键,由固定的晶粒及切割道的长、宽,推算出相对坐标,有效提高激光修补的精密度,找出损坏线路的正确位置,使得修补率及晶粒的合格率提高。 |
申请公布号 |
CN1095194C |
申请公布日期 |
2002.11.27 |
申请号 |
CN97122985.6 |
申请日期 |
1997.11.28 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
陈扬 |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/66;B23K26/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
陶凤波 |
主权项 |
1.一种半导体器件的修补测试方法,用于一激光修补机,包括下列步骤:提供具有多个晶粒的一晶片,其中每一所述晶粒上具有一L型对准键,且每一所述L型对准键在对应的每一所述晶粒上相同的位置;在这些晶粒中,取任一晶粒的所述L型对准键,设定为一基本对准键;在所述基本对准键外的晶粒中取任一晶粒的所述L型对准键,设定为一对称对准键;利用所述基本对准键与所述对称对准键,以所述激光修补机扫描,找出一损坏线路;以及将所述损坏线路烧断,替换为一更新线路。 |
地址 |
台湾省新竹科学工业园区 |