制造高密度掩膜型只读存储器的方法

摘要

一种制造高密度掩膜型只读存储器组件的方法,此方法包括:在一半导体基座上形成一厚氧化物层,移除一部份的所述厚氧化物层,离子植入掺质来形成埋入位线,图案化来形成编码开口,在此编码开口内形成一闸氧化物,以及形成构成所述掩膜型只读存储器字符线的数个导电闸结构。它是利用一厚闸氧化物来形成非可编程单元,并且可容易地被集成至标准互补金属氧化物半导体制程中。

主权项

1.一种制造掩膜型可编程只读存储器的方法，其特征在于，它包括下列步骤：在一半导体基座上形成一氧化层；在所述氧化物层上形成一第一掩膜层及图案化所述第一掩膜层以形成位线；移除在所述位线内的所述氧化物层区以曝露所述半导体基座；离子植入可增加导电率的掺质至所述曝露基座以形成埋入位线；移除所述第一掩膜层及形成一第二掩膜层；印出一编码图案及形成暴露所述位线间所述基座部分的编码开口；移除所述第二掩膜层；在所述编码开口内成长一闸氧化物层；在所述氧化物层、所述埋入位区及所述闸氧化物的剩余区域上沉积一导电层；以及形成构成此掩膜型只读存储器(ROM)字符线的数个导电闸结构。