发明名称 | 抗还原的介电陶瓷材料、制备方法及多层陶瓷电容器 | ||
摘要 | 考虑到含镍内电极多层陶瓷电容器的制备包括使内电极末端外露的抛光步骤,为了防止抛光步骤的延长,本发明制备了一种抗还原介电陶瓷材料,是通过下列步骤实现的:配成包含以式(I)[(Ca<SUB>x</SUB>Sr<SUB>1-x</SUB>)O]<SUB>m</SUB>[(Ti<SUB>y</SUB>Zr<SUB>1-y</SUB>)O<SUB>2</SUB>]表示的复合氧化物作为主成分的煅烧材料,其中0≤x≤1,0≤y≤0.10及0.75≤m≤1.04,添加基于主成分0.001-10mol%的MgO或稀土氧化物,并烧结所得混合物。该陶瓷材料包含预定量的SiO<SUB>2</SUB>和BaO和/或CaO、和MnO作为辅助成分。 | ||
申请公布号 | CN1094917C | 申请公布日期 | 2002.11.27 |
申请号 | CN99801726.4 | 申请日期 | 1999.09.30 |
申请人 | TDK株式会社 | 发明人 | 藤井真理;佐藤阳;佐藤茂树;野村武史 |
分类号 | C04B35/49;H01B3/12 | 主分类号 | C04B35/49 |
代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 龙传红 |
主权项 | 1.一种抗还原介电陶瓷材料,包含:一种以式(I):[(CaxSr1-x)O]m[(TiyZr1-y)O2]表示的复合氧化物作为主成分,其中0≤x≤1,0≤y≤0.10及0.75≤m≤1.04,基于该主成分,0.5-15mol%的SiO2和BaO和/或CaO作为辅助成分,这些氧化物以式(II)表示的复合氧化物来计算的:[(BazCa1-z)O]vSiO2,其中0≤z≤1及0.5≤v≤4.0,基于主成分,0.2-5mol%的MnO作为辅助成分,0.001-10mol%的MgO作为一种附加成分,该介电陶瓷材料是通过在包含主成分的已煅烧材料中添加作为附加成分的起始原材料,随后进行烧结而制备的。 | ||
地址 | 日本东京都 |