形成半导体装置场氧化物的方法

摘要

本发明揭示一种形成半导体装置之场氧化物的方法，其在场氧化作用的早期阶段利用湿式氧化作用以防止场氧化物的不生长和在场氧化作用的后期阶段利用干式氧化作用而使得场氧化物的倾斜为止，借此改良生产效率和半导体装置的可靠性。

主权项

1.一种形成半导体装置之场氧化物的方法，包含下列步骤：在半导体底材上顺序产生垫氧化物和第一氮化物；使掩模在场效应区选择性地蚀刻以除去氮化物以及将半导体底材凹入预定深度；在所产生的结构上淀积第二氮化物；蚀刻第一氮化物以在凹入半导体底材和选择性地蚀刻氮化物二者所提供之侧壁形成氮化物间隔物；进行半导体底材之干式蚀刻以将其凹入预定深度，该氮化物间隔物当做蚀刻阻挡层；其特征在于，还包括以下步骤：进行于湿式氧化作用和干式氧化作用之组合方式的场氧化作用，其中湿氧化作用在干氧化作用之前进行，并且得到的场氧化物具有正的倾斜。