发明名称 POSITIVE TYPE PHOTORESIST COMPOSITION
摘要 <p>본 발명은 (a) 적어도 p-크레졸을 함유한 페놀류를 산촉매하 알데히드류와 반응시켜 얻은 비하이오르토형 크레졸노볼락 수지 및 (b) 퀴논디아지드기 함유 화합물을 함유하여 이루어진 포지티브형 포토레지스트 조성물에서, (a) 성분 중의 p-크레졸의 2 핵체 함유량이 GPC (겔·투과·크로마토그래피) 법에서 2.0 중량% 미만인 것을 특징으로 하는 포지티브형 포토레지스트 조성물을 제공한다. 본 발명에 따르면 고온에서 베이킹되어도 승화물이 잘 생기지 않고 감도, 해상성이 우수함과 동시에 잔막율이 높은 직사각형에 가까운 레지스트패턴을 형성할 수 있는 포지티브형 포토레지스트 조성물이 제공된다.</p>
申请公布号 KR100361053(B1) 申请公布日期 2002.11.22
申请号 KR19990045277 申请日期 1999.10.19
申请人 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 发明人 모리오기미따까;가또데쯔야
分类号 H01L21/027;G03F7/00;G03F7/004;G03F7/022;G03F7/023;G03F7/039 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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