| 主权项 |
1.一种半导体装置,包含:一记忆单元区域,具有复数个第一闸极与一第一闸极间距;一周边区域,具有复数个第二闸极与一第二闸极间距,其中该第一闸极间距较该第二闸极间距更紧密;一氮化膜,形成于包括该复数个第一闸极之该记忆单元区域上;一记忆单元区域层间绝缘膜,形成于包括该氮化膜之该记忆单元区域上;一周边区域层间绝缘膜,形成于该周边区域上;以及该记忆单元区域层间绝缘膜较该周边区域层间绝缘膜具有一更高的硼与磷浓度。2.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:在该周边区域层间绝缘膜中之该硼浓度约为11莫耳分率或更低。3.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:在该周边区域层间绝缘膜中之该磷浓度约为6莫耳分率或更低。4.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:在该记忆单元层间绝缘膜中之该硼与磷浓度约为在该周边区域层间绝缘膜中之该硼与磷浓度的1.3至1.8倍。5.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:该记忆单元区域层间绝缘膜填充该复数个第一闸极间之空间;并且该周边区域层间绝缘膜填充该复数个第二闸极间之空间。6.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:该复数个第二闸极s包括侧壁结构s。7.如申请专利范围第1项之半导体装置,其中:该复数个第一闸极与该复数个第二闸极包含一掺杂的多晶矽膜。8.一种半导体装置之制造方法,包含下列步骤:图案化一闸极于一基板上,使得在一记忆单元区域中之一第一闸极间距较在一周边区域中之一第二闸极间距更紧密地排列;形成一氮化膜于该闸极上;形成一高掺杂浓度层间绝缘膜于该氮化膜上;移除在该周边区域中之至少部分该氮化膜与该高掺杂浓度层间绝缘膜;以及形成一低掺杂浓度层间绝缘膜于该记忆单元区域与该周边区域中,其中该低掺杂浓度层间绝缘膜具有较该高掺杂浓度层间绝缘膜更低的一掺杂浓度。9.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中:该移除至少部分该氮化膜与该高掺杂浓度层间绝缘膜之步骤包括使在该记忆单元区域中之该高杂质浓度层间绝缘膜受到遮罩。10.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,更包括下列步骤:平坦化该高掺杂浓度层间绝缘膜与该低掺杂浓度层间绝缘膜,以使该高掺杂浓度层间绝缘膜与该低掺杂浓度层间绝缘膜之表面实质上相互齐平。11.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中:该高掺杂浓度层间绝缘膜之硼浓度约为11莫耳分率或更高。12.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中:该高掺杂浓度层间绝缘膜之磷浓度约为6莫耳分率或更高。13.如申请专利范围第8项之半导体装置之制造方法,其中:该低掺杂浓度层间绝缘膜之硼浓度约为11莫耳分率或更低。14.如申请专利范围第13项之半导体装置之制造方法,其中:该低掺杂浓度层间绝缘膜之磷浓度约为6莫耳分率或更低。15.一种半导体装置,包含:一第一区域,具有复数个第一闸极与一第一闸极间距;一第二区域,具有复数个第二闸极与一第二闸极间距,其中该第一闸极间距小于该第二闸极间距;一氮化膜,形成于包括该复数个第一闸极之该第一区域上;一第一区域层间绝缘膜,形成于包括该氮化膜之该第一区域上;一第二区域层间绝缘膜,形成于该第二区域上;以及该第一区域层间绝缘膜具有较该第二区域层间绝缘膜更高的掺杂浓度。16.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中:在该第二区域层间绝缘膜中之该硼浓度约为11莫耳分率或更低。17.如申请专利范围第16项之半导体装置,其中:在该第二区域层间绝缘膜中之该磷浓度约为6莫耳分率或更低。18.如申请专利范围第17项之半导体装置,其中:在该第一区域层间绝缘膜中之该硼浓度约为11莫耳分率或更低。19.如申请专利范围第18项之半导体装置,其中:在该第一区域层间绝缘膜中之该磷浓度约为6莫耳分率或更高。20.如申请专利范围第15项之半导体装置,其中:在该第一区域层间绝缘膜中之该硼与磷浓度约为在该第二区域层间绝缘膜中之该硼与磷浓度的1.3至1.8倍。图式简单说明:图1系在各种制程步骤后习知半导体装置之剖面图。图2系在各种制程步骤后习知半导体装置之剖面图。图3系依据实施例在各种制程步骤后之部分半导体装置之剖面图。图4系依据实施例在各种制程步骤后之部分半导体装置之剖面图。图5系依据实施例在各种制程步骤后之部分半导体装置之剖面图。图6系依据实施例在各种制程步骤后之部分半导体装置之剖面图。图7系依据实施例在各种制程步骤后之部分半导体装置之剖面图。图8系依据实施例在各种制程步骤后之部分半导体装置之剖面图。 |
