| 主权项 |
1.一种电浆显示面板,系使第1面板及第2面板隔着间隙材料相对配置,且于该第1面板及第2面板之一侧列设有多数电极,并依序积层介电体层及保护层,使呈覆盖该多数电极之状态者;前述保护层系由种晶形成之第1层与该第1层之种晶上成长之多数柱状结晶形成之第2层所构成者;而,前述第1层,系由将其形成初期时附着于前述介电体层表面之粒状结晶多数合并之种晶,或使其形成初期时附着于前述介电体层之非晶形层多结晶化而成之种晶所构成者。2.如申请专利范围第1项之电浆显示面板,其中前述保护层系由硷土类金属氧化物、硷土类金属氟化物或该等之混合物所构成者。3.如申请专利范围第2项之电浆显示面板,其中前述保护层系由MgO所构成者。4.如申请专利范围第1项之电浆显示面板,其中前述保护层中之柱状结晶系沿其厚度方向而作(111)面定向。5.一种电浆显示面板,系使第1面板及第2面板隔着间隙材料相对配置,且于该第1面板及第2面板之一侧列设有多数电极,并积层有介电体层,使呈覆盖该多数电极之状态,且于该介电体层之上方配设有保护层者;前述介电体层与保护层之间配置有成为用以构成前述保护层之柱状结晶成长之基材之中间层。6.如申请专利范围第5项之电浆显示面板,其中前述中间层系具有面心立方构造、六角积密构造、纤锌矿型构造及闪锌矿型构造中任一结晶构造者。7.如申请专利范围第6项之电浆显示面板,其中前述中间层系由以下任一种晶所构成者,即:自Ag、Al、Au、Be、Cd、Co、Cu、Ga、Hf、In、Ir、Mg、Ni、Os、Pd、Pt、Re、Rh、Tc、Ti、Zn及Zr所形成之第一元素群中择一元素之单晶,或自前述第一元素群中选择2种以上之元素所构成之合金,及,由选自前述第一元素群中1种以上之元素与选自As、N、O、P、S、Sb、Se、Te所形成之第二元素群中1种以上之元素所构成之化合物结晶。8.如申请专利范围第7项之电浆显示面板,其中前述用以构成前述中间层之物质系与前述用以构成前述保护层之物质之错配系于约15%以下者。9.如申请专利范围第5项之电浆显示面板,其中前述用以构成前述保护层之柱状结晶系沿该层之厚度方向而作(111)面定向者。10.如申请专利范围第5项之电浆显示面板,其中前述柱状结晶系由MgO所构成者。11.一种电浆显示面板,系使第1面板及第2面板隔着间隙材料相对配置,且于该第1面板及第2面板之一侧列设有多数电极,并依次积层介电体层及保护层,使呈覆盖该多数电极之状态者;前述介电体层系于前述保护层侧之主面中形设有用以使该保护层成长为单晶状之凹槽。12.如申请专利范围第11项之电浆显示面板,其中前述凹槽系呈条纹状平行列设于前述介电体层靠保护层侧之主面上者。13.如申请专利范围第11项之电浆显示面板,其中前述凹槽,其宽度约于160nm~3800nm之范围内者。14.如申请专利范围第11项之电浆显示面板,其中前述保护层系沿其厚度方向而作(100)面定向者。15.如申请专利范围第11项之电浆显示面板,其中前述保护层系沿其厚度方向而作(111)面定向者。16.如申请专利范围第11项之电浆显示面板,其中前述保护层系由硷土类金属氧化物、硷土类金属氟化物或该等之混合物所构成者。17.如申请专利范围第16项之电浆显示面板,其中前述保护层系由MgO所构成者。18.一种电浆显示面板显示装置,系具有申请专利范围第1.5及11项中任一项之电浆显示面板及用以驱动该电浆显示面板之驱动电路。19.一种电浆显示面板之制造方法,系具有一面板形成作业,该面板形成作业包含有以下程序,即:第1程序,系于基板上形成电极者;第2程序,系形成介电体层,使之呈覆盖已于前述第1程序中形成之电极上之状态者;及第3程序,系形成用以覆盖已于前述第2程序中形成之介电体层之保护层者;而,前述第3程序含有以下步骤,即:保护层材料附着步骤,系使保护层材料附着于前述介电体层上者;加热处理步骤,系对业已于前述保护层材料附着步骤中所附着之保护层材料进行加热处理,而形成种晶者;及保护层形成步骤,系于前述加热处理步骤中业已形成之种晶上使保护层材料成长者。20.如申请专利范围第19项之电浆显示面板之制造方法,其中前述保护层材料附着步骤系使于前述介电体层上附着有由多数保护层材料构成之粒状结晶;且,前述加热处理步骤系将于前述保护层材料附着步骤中所附着之粒状结晶加热,并使多数粒状结晶合并,以形成前述种晶者。21.如申请专利范围第20项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系将于前述保护层材料附着步骤中所附着之粒状结晶加热至该粒状结晶之熔点T(K)以上之温度(K)者。22.如申请专利范围第19项之电浆显示面板之制造方法,其中前述保护层材料附着步骤系于前述介电体层上附着由保护层材料形成之非晶形层;且,前述加热处理步骤系藉由将于前述保护层材料附着步骤中所附着之非晶形层进行加热处理,使呈多晶化,以形成前述种晶者。23.如申请专利范围第22项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系将于前述保护层材料附着步骤中所附着之非晶形层加热至该物质之熔点T(K)之2/3以上之温度(K)者。24.如申请专利范围第19至23项中任一项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系令由雷射照射装置、灯照射装置及离子照射装置中之一者射出之能量射束照射于前述保护层材料,而进行加热处理者。25.如申请专利范围第24项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系使前述能量射束对附着有前述保护层材料之基板边作相对移动边进行照射者。26.如申请专利范围第19项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系于减压环境下进行者。27.如申请专利范围第19项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系于含氧之减压环境下进行者。28.如申请专利范围第19项之电浆显示面板之制造方法,其中前述保护层材料附着步骤及前述加热处理步骤系并行进行者。29.如申请专利范围第19项之电浆显示面板之制造方法,其系使由前述加热处理步骤迄至前述保护层形成步骤之期间系于不与大气接触之状态下进行处理者。30.如申请专利范围第19项之电浆显示面板之制造方法,其系使由前述保护层材料附着步骤迄至前述保护层形成步骤之期间系于不与大气接触之状态下进行处理者。31.如申请专利范围第19项之电浆显示面板之制造方法,其系使由前述加热处理步骤迄至前述保护层形成步骤之期间系于减压环境下进行处理者。32.如申请专利范围第19项之电浆显示面板之制造方法,其系使由前述加热处理步骤直至前述保护层形成步骤,将前述种晶维持于室温以上之温度者。33.一种电浆显示面板之制造方法,系具有一面板形成作业,该面板形成作业包含有以下程序,即:第1程序,系于基板上形成电极者;第2程序,系形成介电体层,使之呈覆盖已于前述第1程序中形成之电极上之状态者;及第3程序,系于前述第2程序中形成之介电体层之上方形成保护层者;且,前述面板形成作业并具有一第4程序,该第4程序系于前述第2程序与第3程序之间,在前述介电体层上被覆成为用以使前述保护层材料呈柱状结晶状成长之基材之中间层者。34.如申请专利范围第33项之电浆显示面板之制造方法,其中前述第3程序系使于含氧之减压环境下蒸镀保护层材料者。35.如申请专利范围第33项之电浆显示面板之制造方法,其中前述第4程序系使于减压环境下被覆前述中间层者。36.如申请专利范围第33项之电浆显示面板之制造方法,其系使由前述第4程序迄至前述第3程序结束为止之期间系于不与大气接触之状态下进行处理者。37.一种电浆显示面板之制造方法,系具有一面板形成作业,该面板形成作业包含有以下程序,即:第1程序,系于基板上形成电极者;第2程序,系形成介电体层,使之呈覆盖已于前述第1程序中形成之电极上之状态者;及第3程序,系形成用以覆盖已于前述第2程序中形成之介电体层之保护层者;且,前述第2程序含有以下步骤,即:覆盖介电体层步骤,系于前述第1程序中所形成之电极上覆盖介电体层材料者;及形设凹槽步骤,系于前述覆盖介电体层步骤中被覆盖之介电体层表面上,形设一用以使前述第3程序中被覆盖之保护层材料成长为单晶状之凹槽者。38.如申请专利范围第37项之电浆显示面板之制造方法,其中前述凹槽形设步骤系使用机械切削法、化学蚀刻法或准分子电射法以形设凹槽者。39.如申请专利范围第37项之电浆显示面板之制造方法,其中前述第3程序系包含有以下步骤,即:保护层材料附着步骤,系使由保护层材料构成之多数粒状结晶附着于前述介电体层上者;加热处理步骤,系将已于前述保护层材料附着步骤中所附着之粒状结晶加热,并合并多数粒状结晶者;及保护层形成步骤,系使保护层材料成长于前述加热处理步骤中已合并之粒状结晶上者。40.如申请专利范围第39项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系将业于前述附着保护层材料步骤中所附着之粒状结晶加热至该粒状结晶之熔点T(K)以上之温度(K)者。41.如申请专利范围第37项之电浆显示面板之制造方法,其中前述第3程序系含有以下步骤,即:保护层材料附着步骤,系使于前述介电体层上附着由保护层材料形成之非晶形层者;加热处理步骤,系对业已于前述保护层材料附着步骤中所附着之非晶形层进行加热处理,而使之多晶化者;及保护层形成步骤,系使保护层材料成长于前述加热处理步骤中已多晶化之结晶上者。42.如申请专利范围第41项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系将于前述保护层材料附着步骤中所附着之非晶形层加热至该物质之熔点T(K)之2/3以上之温度(K)者。43.如申请专利范围第39或41项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系令由雷射照射装置、灯照射装置及离子照射装置中之一者所射出之能量射束照射于前述保护层材料,而进行加热处理者。44.如申请专利范围第43项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系使前述能量束对附着有前述保护层材料之基板边作相对移动边进行照射者。45.如申请专利范围第39或41项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热步骤系于减压环境下进行者。46.如申请专利范围第39或41项之电浆显示面板之制造方法,其中前述加热处理步骤系于含氧之减压环境下进行者。47.如申请专利范围第39或41项之电浆显示面板之制造方法,其中前述保护层材料附着步骤及前述加热处理步骤系并行进行者。48.如申请专利范围第39或41项之电浆显示面板之制造方法,其系使由前述加热处理步骤迄至前述保护层形成步骤之期间系于不与大气接触之状态下进行者。49.如申请专利范围第39或41项之电浆显示面板之制造方法,其系使由前述加热处理步骤迄至前述保护层形成步骤之期间系于减压环境下进行处理者。50.如申请专利范围第39或41项之电浆显示面板之制造方法,其系使由前述保护层材料附着步骤至前述保护层形成步骤之期间系于不与大气接触之状态下进行者。51.如申请专利范围第39或41项之电浆显示面板之制造方法,其系使由前述加热处理步骤直至前述保护层形成步骤中,将已进行加热处理之保护层材料维持于室温以上之温度者。图式简单说明:第1图:除去第1实施形态之PDP之前面玻璃基板的平面图。第2图:第1图中之PDP之一部分概略剖面斜视图。第3图:表示第1实施形态之PDP显示装置之构成之图。第4图:习知PDP之前面面板之重要部分剖面图。第5图:由y轴方向观看第2图中之PDP之前面面板的重要部分剖面图。第6(a)~(e)图:第1实施形态之前面面板之各制造阶段中之重要部分剖面图,按号码顺序进行说明。第7图:描绘相对于本发明之PDP及习知PDP之驱动时间之位址电压的图表。第8图:第2实施形态之PDP中之前面面板之重要部分剖面图。第9(a)~(c)图:第2实施形态之前面面板之各制造阶段中之重要部分剖面图,按号码顺序进行说明。第10图:表示可使用于中间层之物质之晶格常数及计算相对于MgO之错配之値。第11图:第3实施形态之PDP中之前面面板之重要部分剖面图。第12(a)~(d)图:第3实施形态之前面面板之各制造阶段中的重要部分剖面图,按号码进行。第13图:将第3实施形态之前面面板模式化之重要部分斜视图。 |
