介电质是以锶-铋-钽酸盐为主之记忆体电容器之制造方法

摘要

用于记忆体电容器之铁电层(3)(介电质)之结晶温度可以用以下的方式降低：即，在将其沈积之前，在记忆体电容器之第一铂电极层(1)上涂布一非常薄的CeO2层(2)。此在非结晶状态中所沈积的介电层(3)然后经由温度处理在590℃至620℃之间的温度范围中结晶。然后涂布第二电极层(4)以完成此记忆体电容器。第1图

主权项

1.一种记忆体电容器之制造方法,其介电质是以锶-铋-钽酸盐为主的铁电层所构成,其特征为具有以下步骤:-提供一个第一电极层(1),-在第一电极层(1)上涂布CeO2层(2),其具有小于5奈米(nm),尤其是大约1奈米(nm)的厚度,-在CeO2层(2)上涂布非结晶之介电层(3),其包括SrBi2Ta2O9(SBT)或SrBi2(Ta,Nb)2O9(SBTN)或由该物质所构成,-在590℃与620℃的范围中实施温度处理使介电层(3)结晶;以及-在此介电层(3)上涂布第二电极层(4)。2.一种半导体元件之制造方法,其特征为具有以下步骤:-在半导体基板上形成一种切换电晶体,-在此切换电晶体上,以申请专利范围第1项之制造方法形成记忆体电容器。3.如申请专利范围第1项之制造方法,其中-此等电极层(2,4)是由一铂系金属(尤其是铂),铂系金属之导电氧化物或是另一惰性之导电之氧化物所制成。4.如申请专利范围第2项之制造方法,其中-此等电极层(2,4)是由一铂系金属(尤其是铂),铂系金属之导电氧化物或是另一惰性之导电之氧化物所制成。5.如申请专利范围第1项之制造方法,其中-此介电质(3)具有20至300奈米(nm)的厚度。图式简单说明:本发明之唯一图式是说明一种记忆体电容器。