| 主权项 |
1.一种含氟无机层之有机电激发光元件,包括一正极与一负极,以及介于正、负极间之电洞传递层、有机发光层与电子传递层,其特征系于该正极与电洞传递层间添加一含氟无机层。2.如申请专利范围第1项所述之含氟无机层之有机电激发光元件,其中该正极材质为氧化铟锡、氧化锌锡。3.如申请专利范围第1项所述之含氟无机层之有机电激发光元件,其中该含氟无机层为金属氟化物,可选自LiF,NaF,BeF2,MgF2 CaF2,SrF2,BaF2,AlF3。4.如申请专利范围第1项所述之含氟无机层之有机电激发光元件,其中该含氟无机层可知厚度范围介于5-500。图式简单说明:第1图为本发明含氟无机层之有机电激发光元件结构图。第2图为ITO/NPB/Alq/LiF/Al和ITO/A1F3/NPB/A1q/LiF/A1两种元件之电流–电压比较图。第3图为ITO/NPB/Alq/LiF/A1和ITO/A1F3/NPB/A1q/LiF/A1两种元件之亮度–电压比较图。第4图为ITO/A1F3/NPB/A1q/LiF/A1中,A1F3膜厚对元件效率关系图。第5图为ITO/NPB/A1q/LiF/A1和ITO/A1F3/NPB/A1q/LiF/A1两种元件之亮度衰退–时间比较图。第6图为ITO/NPB/A1q/LiF/A1和ITO/A1F3/NPB/AIq/LiF/A1两种元件之电压增加–时间比较图。第7图为ITO/CuPc/NPB/A1q/LiF/A1和ITO/A1F3/NPB/Alq/LiF/A1两种元件之亮度衰退–时间比较图。第8图为ITO/CuPc/NPB/A1q/LiF/A1和ITO/A1F3/NPB/A1q/LiF/A1两种元件之电压增加–时间比较图。第9图为ITO/NPB/A1q/LiF/A1和ITO/MFx/NPB/Alq/LiF/A1之元件亮度衰退–时间比较图。 |
