| 主权项 |
1.一种蚀刻方法,包含诸步骤为施加光阻涂层于具有传导材料制表面层之基体上;移除该基体中央表面区域部份内已定义电路图型中的光阻涂层;以及电化学蚀刻该中央表面区域部份,因而转移该电路图型到该表面层,其特征在于提供相邻于该中央表面区域部份的框架之步骤,该框架适用于吸引电场并且因而防止在其电化学蚀刻期间在该中央表面区域部份周围形成过量的电流密度。2.如申请专利范围第1项之方法,包含藉着在该光阻涂层中形成图型而形成该框架之步骤。3.如申请专利范围第2项之方法,其中该框架包含一场分配部份其相邻于该中央表面区域部份而提供并且具有场分配图型可暴露出该表面层至所给予的曝光度。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该场分配部份内表面层的曝光度是在大约30-90%范围内,最好是大约50-90%。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该框架具有周边周围部份,在其中下方的表面层是被保护使得在该蚀刻步骤期间进入该表面层的电流是绕着基体周围被均匀地分布,其中在该周围部份内下方的表面层最好是暴露至在大约0-60%范围的曝光度,最好是大约0-50%。6.如申请专利范围第2项之方法,包含在该框架中形成至少一未被覆盖接触区域之步骤,电流是在该蚀刻步骤期间经由该接触区域被引入该表面层。7.如申请专利范围第1项之方法,进一步地包含在该电路样型诸个别的电路之间提供内部框架结构之步骤,其中在该内部框架结构内下方的表面层是被保护使得在该蚀刻步骤期间进入该表面层的电流是绕着诸个别的电路周围被均匀地分布。8.如申请专利范围第7项之方法,包含藉着在该光阻涂层内形成图型而形成该内部框架结构的步骤。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该内部框架结构从场分配部份延伸并且具有场分配图型可暴露该表面层至所给予的曝光度。10.如申请专利范围第9项之方法,其中在该内部框架结构内下方表面层的曝光度是在大约30-90%的范围内,最好是大约50-90%。11.如申请专利范围第3项之方法,其中该场分配图型的未被覆盖部份是大致上均匀地被分布。12.如申请专利范围第3项之方法,其中该场分配图型的未被覆盖部份是大致上圆形的。13.如申请专利范围第3项之方法,其中该场分配图型的未被覆盖部份具有至少大约100微米的横向尺寸。14.依据申请专利范围第3项之方法,其中该场分配图型是筛子图型。15.依据申请专利范围第3项之方法,进一步地包含形成该场分配图型的诸覆盖部份之步骤,该覆盖部份具有如此形状与横向尺寸使得相邻于该等覆盖部份一端的诸分别电路会于该蚀刻步骤期间在给定的时间之后自动地被电气性地断开。16.如申请专利范围第15项之方法,其中该等被覆盖部份是具有大约50-100微米到1-2公厘之横向尺寸的细长结构。17.如申请专利范围第1项之方法,其中提供该框架之步骤包含在该基体之上置放一分离的、电气性传导之框架元件。18.如申请专利范围第7项之方法,其中提供该内部框架结构之步骤包含在该基体之上置放一分离的、电气性传导之框架元件。19.如申请专利范围第1项之方法,其中提供该框架之步骤包含黏贴薄片结构至该基体的传导表面层,该薄片结构包含定义至少该框架的光阻涂层。20.一种如申请专利范围第17项之方法所用框架元件,它定义该框架并且具有至少一表面由传导材料制成,并且它适用于在蚀刻步骤期间覆盖该基体,该表面是面向远离该基体。21.如申请专利范围第20项之框架元件,它同时也定义如申请专利范围第18项之方法所用内部框架结构。22.一种如申请专利范围第1项之方法所用光罩,它适用于传送框架图型到该表面层上的该光阻涂层,最好是藉由晶圆制版技术,该框架图型包含至少该框架。23.如申请专利范围第22项之光罩,包含在该传送中于该光阻涂层内形成该电路图型的位于中央之主图型。24.一种预制造基体元件,包含传导材料表面层以及在该表面层上方的光阻涂层,该光阻涂层的中央表面区域部份是适用于接收电路样型,其特征在于一个包含具有场分配图型之场分配部份在内的框架,该框架是在该光阻涂层内相邻于该中央表面区域部份而形成并且暴露该表面层至所给予的曝光度,因而吸引电场并且防止在该电化学蚀刻步骤期间在该中央表面区域部份周围形成过量的电流密度。25.如申请专利范围第24项之预制造基体元件,其中该框架包含周边的周围部份,在其中下方的表面层被保护使得在电化学蚀刻步骤期间进入该表面层的电流是绕着基体元件周围平均地被分布。26.如申请专利范围第24项之预制造基体元件,进一步地包含定义该中央表面区域部份内诸个别的电路-接收区域之内部框架结构,该内部框架结构保护下方的表面层使得在该电化学蚀刻步骤期间进入该表面层的电流是在其电化学蚀刻期间绕着诸个别的电路-接收区域周围均匀地被分布。27.如申请专利范围第26项之预制造基体元件,其中该内部框架结构具有一场分配图型暴露该表面层至所给予的曝光度,以防止在该电化学蚀刻步骤期间于诸个别的电路之接收区域周围形成过量的电流密度。图式简单说明:第1图是依据本发明第一论点之电化学蚀刻内的配置之侧视图;第2及3图是依据本发明第一论点的替代实施例之电化学蚀刻内所使用基体的上视图;以及第4至6图是依据本发明第二论点的替代实施例之电化学蚀刻内所使用基体的上视图。第7图是展示第二论点的进一步实施例之放大上视图。第8图展示本发明的进一步实施例。第9图是展示第二论点的进一步实施例之放大上视图。 |
