| 主权项 |
1.一种具有双层阻剂之乾式显影法,适用于一半导体基底,包括下列步骤:依序在该基底上形成一绝缘层、一第一阻剂层及一第二阻剂层;图案化该第二阻剂层,以形成一第二阻剂图案并露出该第一阻剂层之表面;以及电浆蚀刻该露出之第一阻剂层表面,以形成一第一阻剂图案并露出该绝缘层之表面,其中以氮气及氧气作为反应气体,藉以完成图案之转移。2.如申请专利范围第1项所述之乾式显影法,其中在去除该第一阻剂图案之后更包括一反应室清理步骤,以恢复该反应室之初始状态。3.如申请专利范围第1项所述之乾式显影法,其中该第一阻剂层系一不含矽之有机光阻。4.如申请专利范围第1项所述之乾式显影法,其中该第二阻剂层系一含矽之有机光阻。5.如申请专利范围第1项所述之乾式显影法,其中电浆蚀刻该第一阻剂层系使用感应耦合电浆法及互感器耦合电浆法之其中一种。6.如申请专利范围第1项所述之乾式显影法,其中该氮气之流量在10到1000sccm的范围。7.如申请专利范围第1项所述之乾式显影法,其中该氧气之流量在10到50sccm的范围。8.如申请专利范围第1项所述之乾式显影法,其中更通入一氩气作为该反应气体。9.如申请专利范围第3项所述之乾式显影法,其中该第一阻剂层之厚度在1000到5000埃的范围。10.如申请专利范围第4项所述之乾式显影法,其中该第二阻剂层之厚度在500到3000埃的范围。11.如申请专利范围第8项所述之乾式显影法,其中该氩气之流量在100到1000sccm的范围。图式简单说明:第1a到1d图系绘示出习知之具有双层阻剂之乾式显影方法;第2a到2e图系绘示出根据本发明第一实施例之具有双层阻剂之乾式显影方法;第3a到3e图系绘示出根据本发明第二实施例之具有双层阻剂之乾式显影方法。 |
