| 主权项 |
1.一种含有半导体基体之光电元件,该半导体基体系提供于电气绝缘材料所形成之基板上,并且覆盖一层发光层,以将半导体基体产生之第一种波长范围的电磁辐射,转换成不同波长的可见光,其特征为该导电层系位于基板与发光层之间,在光电元件运作期间,所选择之电导率X使得经过导电层的电流,最多为经过半导体元件电流的5%。2.如申请专利范围第1项之光电元件,其中,在光电元件运作期间,经过导电层的电流最多为通过半导体元件电流的10%。3.如申请专利范围第1或2项之光电元件,其中该导电层对半导体元件所产生的电磁辐射是透明的。4.如申请专利范围第1项之光电元件,其中该导电层含有透明的金属氧化物。5.如申请专利范围第1项之光电元件,其中导电层含有一种或更多种氧化物,选自由铟锡氧化物、锑锡氧化物与氧化锡所形成之族。6.如申请专利范围第1项之光电元件,其中该半导体基体形成发光二极体的局部。7.一种以发光层覆盖光电元件之方法,该光电元件含有提供于电氧绝缘基板上之半导体基体,在该方法中,基板被覆盖一导电层,之后至少使该基板与用电泳沈积于导电层表面上之发光材料的悬浮体接触,此一导电层的电导率X比悬浮体高,但比半导体元件低,以该导电层作为第一个电极,第二个电极则存在于悬浮体中,并保持电极之间的电位差。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该光电元件包括发光二极体。9.如申请专利范围第7或8项之方法,其中该光电元件系连接于载板,此一载板上亦提供许多光电元件。图式简单说明:图1显示根据本发明方法之一步骤的实例,以及图2显示根据本发明之光电元件的实例。 |
