发明名称 合成铝化钛金属化合物的方法
摘要 一种透过氢化钛化合物与铝金属化合,在去氢烧结后,合成铝化钛金属化合物的制成方法,其制程须藉化学计量,研磨整粒,冷压成型和去氢烧结四项步骤而处理的一贯连续制造程序.
申请公布号 TW510889 申请公布日期 2002.11.21
申请号 TW087118578 申请日期 1998.11.07
申请人 黄孝惇 发明人 黄孝惇
分类号 C01G23/00 主分类号 C01G23/00
代理机构 代理人
主权项 1.一种合成铝化钛金属化合物的制造方法,其制造程序包括了化学计量,研磨整粒,冷压成型和去氢化烧结四项步骤的一贯连续制造程序:其第一步之化学计量必须精准量测氢化钛之原料粉末和铝之原料粉末;再来将已秤好重量之氢化钛,铝金属粉末共同置入研磨装置内,并于研磨时加入高硬度陶瓷研磨球或等同装置,进行乾燥研磨整粒步骤;之后将研磨整粒过的氢化钛,铝金属之混合粉末送入事先准备之冷压模具内,透过冷压装置以压之,然后取出压制成型的胚模;首先将压制成型的胚模送入真空烧结炉具装置里,启动真空烧结炉具装置至高真空状态,同时加热,然后持温,再一次加热,并再持温后开始炉内冷却,最后取出冷却后的成品。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之铝和氢化钛的原料皆是纯度至少达百分之九十五或以上的粉末体。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之化学计量步骤中,铝成分和氢化钛成分在原子重量百分比例上,上述氢化钛金属之粉末原料重量与铝金属之粉末原料重量以原子重量百分比为一比一的比例而成。4.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之研磨整粒步骤中,前述氢化钛,铝金属粉末共同置入研磨装置之研磨箱体内,并于研磨时配合性地加入高硬度陶瓷研磨球或等同装置,进行乾燥研磨整粒步骤,其时间约为五小时。5.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之研磨整粒步骤,前述研磨球或等同装置之总重量与氢化钛,铝金属混合粉末之重量的比例约为十二比一。6.如申请专利范围第4项之方法,其中上述之研磨整粒步骤中,具研磨功能之装置具有转速至少保持一百五十rpm(转速/每分钟)之转速。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之冷压成型步骤中,将前述氢化钛,铝金属混合粉末送入事先准备之冷压模具内,透过具冷压装置之机具,以约为二百万(MPa)的适当压力压之,然后取出压制成型的胚模。8.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之烧结步骤中,将压制成型的胚模送入具真空装置之高温加热炉具装置,须热至所定之温度摄氏三百五十度。9.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之烧结步骤中,温度到达摄氏三百五十度后持温四十分钟。10.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之烧结步骤中,在持温四十分钟后从三百五十度再升温至摄氏温度七百度。11.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之烧结步骤中,到达摄氏温度七百度后继续持温,时间须满二十分钟。12.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之烧结步骤中,在摄氏温度七百度之持温时间满二十分钟后,即开始进行炉内冷却至室温,最后取出成品。13.如申请专利范围第1项之方法,烧结过程全程中必须一直保持真空状态约为10-5mmHg。14.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之铝化钛金属化合物组成中至少包括了三铝化钛(TiAl3),铝化钛(TiAl)和铝化三钛(Ti3Al)三种单一化合物。图式简单说明:第一图示制造流程简图;包括了化学计量,研磨整粒,冷压成型和去氢化烧结四项步骤。第二图示去氢化烧结之加热处理简图。第三图示爱克思光的绕射结果,证明铝化钛金属化合物,包括了三铝化钛(TiAl3),铝化钛(TiAl)和铝化三钛(Ti3Al)三种单一化合物,可以本制程产生。
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