| 主权项 |
1.一种非挥发性半导体记忆体,包括源极区与汲极区,在矽基底内形成;介电层,在源极区与汲极区之间的矽基底上形成;铁电层,在介电层上形成;以及闸极,在铁电层上形成,其中该铁电层与矽基底都具有p型导电性,而该源极与汲极具有n型导电性。2.一种非挥发性半导体记忆体,包括源极区与汲极区,在矽基底内形成;介电层,在源极区与汲极区之间的矽基底上形成;铁电层,在介电层上形成;以及闸极,在铁电层上形成,其中该铁电层与矽基底都具有n型导电性,而该源极与汲极具有p型导电性。图式简单说明:图1是依据本发明实施例1或2之非挥发性半导体记忆体的剖示图;图2A与2B是实施例1非挥发性半导体记忆体在资料储存状态下的能带图;图3A与3B是实施例2非挥发性半导体记忆体在资料储存状态下的能带图;图4是传统之非挥发性半导体记忆体的剖示图;图5A与5B是传统非挥发性半导体记忆体在资料储存状态下的能带图;以及图6是传统铁电记忆体在闸极与矽基底都具有接地电位时的等效电路图。 |
