发明名称 化学气相沉积装置及其净化方法
摘要 一种化学气相沉积装置,其系供沉积供十亿一容量记忆体装置而用的高介电性物质薄膜,且其能可靠地净化在该沉积室内形成的反应产物而不致损及生产效率。该装置包括一密封的沉积室,其内装有用以放置基材之基材固持段,及配实在该基材固持段之对面以导引气态给入物质至该基材上面之一气体供给头。其中亦装有一捕捉元件支持装置以支持一捕捉元件而使其正对着该沉积室内部之标的净化部位,及一电浆产生装置以在该标的净化部位与该被该捕捉元件支持装置所支持的捕捉元件之间产生电浆。
申请公布号 TW510923 申请公布日期 2002.11.21
申请号 TW087117005 申请日期 1998.10.14
申请人 荏原制作所股份有限公司 发明人 铃木秀直;中田勉;阿部佑士;齐藤真佐雄
分类号 C23C14/54;C23C16/46 主分类号 C23C14/54
代理机构 代理人 陈灿晖﹝已殁﹞ 台北巿城中区武昌街一段六十四号八楼;洪武雄 台北市博爱路八十号六楼;陈昭诚 台北市博爱路八十号六楼
主权项 1.一种化学气相沉积装置,其包括: 一气密沉积室,其内装有一基材固持段以放置一基 材; 一气体供给头,其系配置在该基材固持段之对面, 以导引气态给入材料至该基材上; 一捕捉元件支持装置,以支持一捕捉元件使其面对 在该沉积室内部之标的净化部位;及 一电浆产生装置,以于该标的净化部位与被该捕捉 元件支持装置所支持的该捕捉元件之间产生电浆 。2.如申请专利范围第1项之化学气相沉积装置,其 中该捕捉元件支持装置包括一装在该沉积室内的 支持元件。3.如申请专利范围第1项之化学气相沉 积装置,其中该捕捉元件支持装置包括一可插置于 该沉积室且可由该沉积室再撤出的支持元件。4. 如申请专利范围第1项之化学气相沉积装置,其中 更装有一存放该捕捉元件而用之辅助室在保持该 沉积室的气密封合之下,使该捕捉元件能在该辅助 室与该沉积室之间转移。5.如申请专利范围第1项 之化学气相沉积装置,其中该捕捉元件系导电性者 ,且该捕捉元件支持装置装有与该捕捉元件有电接 触的电浆电极以产生电浆。6.如申请专利范围第5 项之化学气相沉积装置,其中更装有一电极覆盖元 件以遏止反应产物沉积在该电浆电极之上。7.如 申请专利范围第1项之化学气相沉积装置,其中更 装有捕捉元件输送装置以于保持该沉积室的气密 封合之下,使该捕捉元件能装载入该沉积室之内或 自该沉积室卸出。8.一种净化蓄积在化学气相沉 积装置内部表面上的反应产物之方法,其包括: 将一捕捉元件置放入该沉积室内部; 于该捕捉元件与该沉积室内部之标的净化部位之 间产生一电浆; 藉由离子溅射自该标的净化部位脱落反应产物并 于该捕捉元件之上捕捉已溅射出的粒子;及 由该沉积室取出已用过的捕捉元件。9.如申请专 利范围第8项之净化蓄积在化学气相沉积装置内部 表面上的反应产物方法,其中该标的净化部位系由 变异该捕捉元件与该沉积室内的该标的净化部位 之间的距离予以选择的。图式简单说明: 第1图为正在进行净化程序中的气体供给头之横截 面图; 第2图为在沉积程序中置于捕捉元件固持器顶部上 的电极覆盖元件之平面图; 第3图为沿第2图中的平面A-A之截面图; 第4图为正在进行净化程序的基材台之截面图;及 第5图为气相沉积装置另一实施例之断面图。
地址 日本